SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRH, F) -
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GRHF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J (f) -
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP361 Tu 1 Triac 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 600 µA (topos) Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4YHF7, F -
RFQ
ECAD 8839 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4YHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (TPL, E 1.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP118 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 20Mbps 30ns, 30ns 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP716(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (f) -
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP716 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 10 Ma 15mbd 15ns, 15ns 1.65V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLX9378(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9378 (TPL, F 3.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLX9378 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10mbd 90ns, 30ns 1.75V (Max) 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 100ns, 100ns
TLP785F(YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (YH-TP7, F -
RFQ
ECAD 5112 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (YH-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098 (f) -
RFQ
ECAD 4586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP2098 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2098F EAR99 8541.49.8000 150 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (FD-TL, F) -
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP624 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP293-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LA-TP, E 1.6300
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (GB-TPL, E 0.8000
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4YH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-T6, F 0.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GB-TPR, E 0.5500
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-LF4, E -
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRL, E 0.5500
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (Grle EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2361(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4-TPR, E 1.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2361 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (E 1.2800
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 5A991 8541.49.8000 125 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP2391(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391 (TPL, E 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2391 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 10mbd 3ns, 3ns 1.55V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2631 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 16 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2200 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 2.5mbd 35ns, 20ns 1.55V 10 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LATPE 1.7900
RFQ
ECAD 8491 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, E 1.2300
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (BL, F) -
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GR, E) -
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (D4, F) -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761F (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (f) -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP551 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BL-TPL, SE 0.6000
RFQ
ECAD 5987 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRL-TPR, E 0.5600
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock