SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP2768F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4MBSTP, F -
RFQ
ECAD 9277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2768F (D4MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP358(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-TP5, F) -
RFQ
ECAD 2492 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP358 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 8 Dipp descascar 264-TLP358 (D4-TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 5a, 5a 6A 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP358F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (D4-TP4, F) -
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 8-SMD descascar 264-TLP358F (D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 5a, 5a 6A 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (TP, F) -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2766 (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 20Mbps 15ns, 15ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP105(V4MBS-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (V4MBS-TPL, F -
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP105 (V4MBS-TPLF EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP719F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP754(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4-LF1, F) -
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP754 (D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP9114B(NIEC-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (Niec-TL, F -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9114B (NIEC-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F1, J, F -
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4IM-F1JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (TOJ2TL, F (O -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9291 (TOJ2TLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TOJSTLUC, F -
RFQ
ECAD 6124 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota Corriente Continua Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar 264-TLP191B (TOJSTLUCF EAR99 8541.49.8000 1 24 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 3 ms -
TLP2766F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2766F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP525G(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (TP5, F) -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CSA, CUL, UL 1 Triac 4 Dipp descascar 264-TLP525G (TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 100 mA 600 µA No 200V/µs 10 Ma -
TLP358(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (LF5, F) -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP358 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 8 Dipp descascar 264-TLP358 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 5a, 5a 6A 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 5424 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 264-TLP626 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP669L(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (S, C, F) -
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP669L (SCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP701F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (D4-MBSTP, F -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP701 Acoplamiento óptico TUV, TU 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP701F (D4-MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000 VRMS 10 kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (D4SOY-TP, F -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP719 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-sdip - 264-TLP719F (D4SOY-TPF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 9257 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP2066 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 3.6V 6-mfsop, 5 Plomo - 264-TLP2066 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 20Mbps 5ns, 4ns 1.6V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP620-2(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (GB-TP1, F) -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-SMD descascar 264-TLP620-2 (GB-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (MBS, F) -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2531 Corriente Continua 2 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP2531 (MBSF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 30% @ 16MA 200ns, 300ns -
TLP705AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705AF (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP705 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP705AF (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 600 Ma, 600 Ma 600mA 35ns, 15ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 10V ~ 30V
TLP715(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4-MBS-TP, F -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP715 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP715 (D4-MBS-TPF EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP626(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (D4-LF2, F) -
RFQ
ECAD 6425 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 264-TLP626 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (FUJT, F) -
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP525 CSA, CUL, UL 1 Triac 4 Dipp descascar 264-TLP525G (FUJTF) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 100 mA 600 µA No 200V/µs 10 Ma -
TLP759F(D4MBIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4MBIMT4JF -
RFQ
ECAD 5358 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (D4MBIMT4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP9121A(OGIGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (OGIGBTL, F -
RFQ
ECAD 1570 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (OGIGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP5222(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (D4, E 7.0100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5222 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 2a, 2a 2.5a 58ns, 57ns 1.67V 25 Ma 5000 VRMS 25kV/µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5212(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212 (E 5.4900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5212 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP5212 (E EAR99 8541.49.8000 50 2a, 2a 2.5a 57ns, 56ns 1.67V 25 Ma 5000 VRMS 25kV/µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5212(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212 (D4-TP, E 5.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5212 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO descascar EAR99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 57ns, 56ns 1.67V 25 Ma 5000 VRMS 25kV/µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock