SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro
SIT1602BC-83-XXS-74.176000 SiTime SIT1602BC-83-XXS-74.176000 1.1600
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 74.176 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-81-33N-25.000625 SiTime SIT1602BI-81-33N-25.000625 1.6000
RFQ
ECAD 3904 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25.000625 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BI-81-XXS-24.000000 SiTime SIT1602BI-81-XXS-24.000000 1.6000
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 20ppm - -
SIT8208AI-31-25S-33.330000 SiTime SIT8208AI-31-25S-33.330000 3.3000
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.33 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 33MA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BC-83-28N-10.000000 SiTime SIT1602BC-83-28N-10.000000 1.1600
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 10 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-83-18N-62.500000 SiTime SIT1602BI-83-18N-62.500000 1.1800
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 62.5 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT8208AI-32-25S-4.000000 SiTime SIT8208AI-32-25S-4.000000 3.1700
RFQ
ECAD 6783 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 4 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 33MA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-82-33E-31.250000 SiTime SIT1602BI-82-33E-31.250000 1.5000
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 31.25 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT8208AI-31-28E-48.000000 SiTime SIT8208AI-31-28E-48.000000 3.3000
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 48 MHz Lvcmos, lvttl 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 20ppm - -
SIT8208AI-32-33E-14.000000 SiTime SIT8208AI-32-33E-4.000000 3.1700
RFQ
ECAD 6697 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 14 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 25ppm - -
SIT8208AC-31-25E-33.300000 SiTime SIT8208AC-31-25E-33.300000 3.2400
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.3 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BC-83-25S-38.400000 SiTime SIT1602BC-83-25S-38.400000 1.1600
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38.4 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.2MA Mems ± 50ppm - -
SIT8208AI-32-18E-28.636300 SiTime SIT8208AI-32-18E-28.636300 3.1700
RFQ
ECAD 4003 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 28.6363 MHz Lvcmos, lvttl 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 31 MA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-82-33N-25.000000 SiTime SIT1602BI-82-33N-255.000000 1.5000
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BC-81-33E-26.000000 SiTime SIT1602BC-81-33E-26.000000 1.5700
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BC-81-28S-40.000000 SiTime SIT1602BC-81-28S-40.000000 1.5700
RFQ
ECAD 3494 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 40 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 20ppm - -
SIT8924AM-12-33E-33.333333 SiTime SIT8924AM-12-33E-33.333333 7.2000
RFQ
ECAD 4774 0.00000000 Sitio SIT8924 Banda Activo -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.33333333 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.8mA Mems ± 25ppm - -
SIT8208AI-33-25E-40.000000 SiTime SIT8208AI-33-25E-40.000000 2.5000
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 40 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 50ppm - -
SIT8208AI-32-33E-66.600000 SiTime SIT8208AI-32-33E-66.600000 3.1700
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 66.6 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 25ppm - -
SIT8208AC-33-25S-16.367667 SiTime SIT8208AC-33-25S-16.367667 2.4400
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 16.367667 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 33MA Mems ± 50ppm - -
SIT8920AM-13-33S-26.000000 SiTime SIT8920am-13-33S-26.000000 25.8800
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 Sitio SIT8920 Banda Activo -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BC-83-28E-66.660000 SiTime SIT1602BC-83-28E-66.660000 1.1600
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 66.66 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-82-28N-38.000000 SiTime SIT1602BI-82-28N-38.000000 1.5000
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602AI-83-33S-25.000000 SiTime SIT1602AI-83-33S-25.000000 1.1800
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 Sitio SIT1602 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT8208AC-31-25E-38.000000 SiTime SIT8208AC-31-25E-38.000000 3.2400
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 20ppm - -
SIT8924AA-12-18E-20.000000 SiTime SIT8924AA-12-18E-20.000000 4.7200
RFQ
ECAD 6044 0.00000000 Sitio SIT8924 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz Lvcmos, lvttl 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-82-28S-33.000000 SiTime SIT1602BI-82-28S-33.000000 1.5000
RFQ
ECAD 9411 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-83-25N-33.333000 SiTime SIT1602BI-83-25N-33.333000 1.1800
RFQ
ECAD 9894 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.333 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.2MA Mems ± 50ppm - -
SIT8208AC-31-33E-19.200000 SiTime SIT8208AC-31-33E-9.200000 3.2400
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Sitio SIT8208 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 19.2 MHz Lvcmos, lvttl 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BC-83-XXN-48.000000 SiTime SIT1602BC-83-XXN-48.000000 1.1600
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 48 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock