SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
STP30N65M5 STMicroelectronics STP30N65M5 6.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 139mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 25V 2880 pf @ 100 V - 140W (TC)
CSD16408Q5 Texas Instruments CSD16408Q5 0.6424
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 Instrumentos de Texas Nexfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn CSD16408 Mosfet (Óxido de metal) 8-Vsonp (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 22a (TA), 113A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 250 µA 8.9 NC @ 4.5 V +16V, -12V 1300 pf @ 12.5 V - 3.1W (TA)
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated DMG1016UDW-7 0.4500
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMG1016 Mosfet (Óxido de metal) 330MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 1.07a, 845mA 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74nc @ 4.5V 60.67pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IXTH6N50D2 IXYS Ixth6n50d2 9.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Ixys Agotamiento Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth6 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 6a (TC) - 500mohm @ 3a, 0V - 96 NC @ 5 V ± 20V 2800 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 300W (TC)
IXBX25N250 IXYS Ixbx25n250 44.2800
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixbx25 Estándar 300 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 621487 EAR99 8541.29.0095 30 - 1.6 µs - 2500 V 55 A 180 A 3.3V @ 15V, 25A - 103 NC -
MRF7S21210HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21210HSR3 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 2.17GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4 A 63W 18.5dB - 28 V
MRF8S18120HSR3 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3 -
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF8 1.81GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 250 - 800 Ma 72W 18.2db - 28 V
MRFE6S8046NR1 NXP USA Inc. MRFE6S8046NR1 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Montaje en superficie Un 270ab Mrfe6 894MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 500 - 300 mA 35.5W 19.8db - 28 V
MRFE6S9046GNR1 NXP USA Inc. MRFE6S9046GNR1 -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Montaje en superficie Un 270bb Mrfe6 960MHz Ldmos TO70 WB-4 GUALL descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935314093528 5A991G 8541.29.0075 500 - 300 mA 35.5W 19dB - 28 V
MRF6S19200HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR5 -
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.6 A 56W 17.9dB - 28 V
MRF6V12250HR3 NXP USA Inc. MRF6V12250HR3 -
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 100 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 1.03GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 100 mA 275W 20.3db - 50 V
MRF6V12250HR5 NXP USA Inc. MRF6V12250HR5 434.5000
RFQ
 ECAD 7021 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 100 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6V12250 1.03GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 100 mA 275W 20.3db - 50 V
MRF6V2300NR5 NXP USA Inc. MRF6V2300NR5 -
RFQ
 ECAD 4065 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 220MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935309909578 EAR99 8541.29.0075 50 - 900 mA 300W 25.5db - 50 V
MRF6VP41KHR6 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR6 -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 110 V Monte del Chasis NI-1230 MRF6 450MHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 150 Ma 1000W 20dB - 50 V
MRF7S15100HSR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HSR3 -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 1.51 GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935317045128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600 mA 23W 19.5dB - 28 V
DSA2001R0L Panasonic Electronic Components DSA2001R0L -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DSA2001 200 MW Mini3-G3-B descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100 µA PNP 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 210 @ 2mA, 10V 150MHz
DSC2001S0L Panasonic Electronic Components DSC2001S0L -
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DSC2001 200 MW Mini3-G3-B descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100 µA NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 290 @ 2mA, 10V 150MHz
NTD4905N-1G onsemi NTD4905N-1G -
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD49 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 12A (TA), 67A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 15 V - 1.4W (TA), 44W (TC)
NDF10N60ZG onsemi NDF10N60ZG -
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero NDF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 100 µA 68 NC @ 10 V ± 30V 1645 pf @ 25 V - 39W (TC)
NTR4170NT3G onsemi Ntr4170nt3g -
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NTR417 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 2.4a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 3.2a, 10v 1.4V @ 250 µA 4.76 NC @ 4.5 V ± 12V 432 pf @ 15 V - 480MW (TA)
NTR4171PT3G onsemi NTR4171PT3G -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NTR417 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 2.2a (TA) 2.5V, 10V 75mohm @ 2.2a, 10V 1.4V @ 250 µA 15.6 NC @ 10 V ± 12V 720 pf @ 15 V - 480MW (TA)
NTLUF4189NZTBG onsemi Ntluf4189nztbg -
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta Ntluf41 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfn (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.2a (TA) 2.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 3 NC @ 4.5 V ± 8V 95 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 500MW (TA)
NSBC143ZPDP6T5G onsemi NSBC143ZPDP6T5G 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-963 NSBC143 339MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V - 4.7 kohms 47 kohms
NSBC114TF3T5G onsemi NSBC114TF3T5G 0.1061
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBC114 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 160 @ 5MA, 10V 10 kohms
NSBC115TF3T5G onsemi NSBC115TF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBC115 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV a 5 mm, 10 Ma 160 @ 5MA, 10V 100 kohms
NSBC123JF3T5G onsemi NSBC123JF3T5G 0.1061
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBC123 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
NTD4906NAT4G onsemi NTD4906NAT4G -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10.3a (TA), 54A (TC) 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 24 NC @ 10 V 1932 pf @ 15 V - -
NTMFS4943NT1G onsemi Ntmfs4943nt1g -
RFQ
 ECAD 4737 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 8.3a (TA), 41a (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 20.9 NC @ 10 V ± 20V 1401 pf @ 15 V - 910MW (TA), 22.3W (TC)
DRC5114Y0L Panasonic Electronic Components DRC5114Y0L -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-85 DRC5114 150 MW Smini3-F2-B - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
DRC5143Z0L Panasonic Electronic Components DRC5143Z0L -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-85 DRC5143 150 MW Smini3-F2-B - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 4.7 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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