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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSD214SN L6327 | - |  | 3793 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 3.7 µA | 0.8 NC @ 5 V | ± 12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| BSD223P L6327 | - | | 1193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD223 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 390 mm | 1.2ohm @ 390mA, 4.5V | 1.2V @ 1.5 µA | 0.62NC @ 4.5V | 56pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
 | BSO051N03M G | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 18a, 10v | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 15 V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||
| BSO220N03MDGXUMA1 | 0.9300 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 22mohm @ 7.7a, 10V | 2.1V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 800pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||
 | BSS119L6327HTSA1 | - | | 7520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 170MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10v | 2.3V @ 50 µA | 2.5 NC @ 10 V | ± 20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | BSS138W L6433 | - | | 4984 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 60 V | 280MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 220 mm, 10V | 1.4V @ 26 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | 43 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| BSS214NW L6327 | - | | 9654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V @ 3.7 µA | 0.8 NC @ 5 V | ± 12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | IPA60R250CPXKSA1 | - | | 2245 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPB011N04LGATMA1 | 5.4700 | | 1539 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB011 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 2V @ 200 µA | 346 NC @ 10 V | ± 20V | 29000 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPB020N04NGATMA1 | 3.0800 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB020 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 140A (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 4V @ 95 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 9700 pf @ 20 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPB023N06N3GATMA1 | - | | 2239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB023N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 140A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 4V @ 141 µA | 198 NC @ 10 V | ± 20V | 16000 pf @ 30 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPB147N03LGATMA1 | - | | 8730 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB147N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPB47N10SL26ATMA1 | - | | 2155 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB47N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 33a, 10v | 2V @ 2mA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | 4.6000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R199 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1520 pf @ 100 V | - | 139W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Ipd16cne8n g | - | | 1936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD16C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 85 V | 53A (TC) | 10V | 16mohm @ 53a, 10v | 4V @ 61 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 40 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPD22N08S2L50ATMA1 | 1.3000 | | 5376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD22N08 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 75 V | 27a (TC) | 5V, 10V | 50mohm @ 50A, 10V | 2V @ 31 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD30N03 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 2V @ 23 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPD64CN10N G | - | | 7195 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD64C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 10V | 64mohm @ 17a, 10v | 4V @ 20 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 569 pf @ 50 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRG4PH50S-EPBF | - | | 5446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PH50 | Estándar | 200 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 33a, 5ohm, 15V | - | 1200 V | 57 A | 114 A | 1.7V @ 15V, 33a | 1.8MJ (Encendido), 19.6MJ (apaguado) | 167 NC | 32NS/845NS | ||||||||||||||||||||
 | IRG7PH42UD-EP | - | | 4986 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irg7ph | Estándar | 320 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | 153 ns | Zanja | 1200 V | 85 A | 90 A | 2V @ 15V, 30a | 2.11mj (Encendido), 1.18mj (apaguado) | 157 NC | 25ns/229ns | |||||||||||||||||||
 | Ixtq74n15t | - | | 5488 | 0.00000000 | Ixys | Zanja | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq74 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 V | 74a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| Ixtq88n15 | - | | 2016 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq88 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 V | 88a (TC) | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||
 | IXTT30N50L | - | | 4237 | 0.00000000 | Ixys | Lineal | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Ixtt30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 268AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 10200 pf @ 25 V | - | 400W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Ixtv102n25t | - | | 6518 | 0.00000000 | Ixys | Zanja | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | A 220-3, Pestaña Corta | Ixtv102 | Mosfet (Óxido de metal) | Más220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 102a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| Ixtv98n20t | - | | 6243 | 0.00000000 | Ixys | Zanja | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | A 220-3, Pestaña Corta | Ixtv98 | Mosfet (Óxido de metal) | Más220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 98a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | MKI75-06A7T | - | | 6558 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | E2 | MKI75 | 280 W | Estándar | E2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor de puente entero | Escrutinio | 600 V | 90 A | 2.6V @ 15V, 75a | 1.3 Ma | Si | 3.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| MWI100-06A8T | - | | 7316 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | Monte del Chasis | E3 | MWI100 | 410 W | Estándar | E3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Inversor trifásico | Escrutinio | 600 V | 130 A | 2.5V @ 15V, 100A | 1.2 Ma | No | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| MWI200-06A8T | - | | 6303 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | Monte del Chasis | E3 | MWI200 | 675 W | Estándar | E3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Inversor trifásico | Escrutinio | 600 V | 225 A | 2.5V @ 15V, 200a | 1.8 Ma | No | 9 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| MWI75-12A8T | - | | 7245 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | Monte del Chasis | - | MWI75 | 500 W | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Inversor trifásico | Escrutinio | 1200 V | 125 A | 2.6V @ 15V, 75a | 5 Ma | No | 5.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| GWM120-0075P3-SL | - | | 1375 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 17-smd, planos de cables | GWM120 | Mosfet (Óxido de metal) | - | Isoplus-dil ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 75V | 118a | 5.5mohm @ 60a, 10v | 4V @ 1MA | 100NC @ 10V | - | - |
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