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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB50N120FL2WG | - |  | 2539 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ngtb50 | Estándar | 535 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | NGTB50N120FL2WGOS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 50A, 10ohm, 15V | 256 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 200 A | 2.2V @ 15V, 50A | 4.4mj (Encendido), 1.4mj (apagado) | 311 NC | 118NS/282NS | |||||||||||||||||||||||
| Ngtg30n60flwg | - | | 7494 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ngtg30 | Estándar | 250 W | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 60 A | 120 A | 1.9V @ 15V, 30a | 700 µJ (Encendido), 280 µJ (apaguado) | 170 NC | 83ns/170ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | Stdled623 | - | | 9026 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Stdled623 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 620 V | 3A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4.5V @ 50 µA | 15.5 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Stpled627 | - | | 4443 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Stpled627 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 620 V | 7a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.8a, 10v | 4.5V @ 50 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 50 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ALD210808AsCl | 7.5122 | | 5149 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ALD210808 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales n, par emparejado | 10.6v | 80mera | - | 20mv @ 10 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
 | RJP5001APP-M0#T2 | - | | 6375 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RJP5001 | Estándar | 45 W | Un 220fl | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 300A, 30OHM, 12V | - | 500 V | 300 A | 10V @ 12V, 300A | - | 100ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | DMHC4035LSD-13 | 0.8700 | | 62 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | DMHC4035 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) | 40V | 4.5a, 3.7a | 45mohm @ 3.9a, 10V | 3V @ 250 µA | 12.5nc @ 10V | 574pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT13005TF-G1 | - | | 8376 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Apt13005 | 28 W | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | APT13005TF-G1DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 450 V | 4 A | - | NPN | 900mv @ 1a, 4a | 8 @ 2a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF830BPBF | 1.1200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | UPA631T1R-E2-AX | - | | 2085 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-WFDFN Pad, | UPA2631 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Huson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 3a, 1.8v | - | 12.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1240 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| UPA2766T1A-E1-AY | - | | 6042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | UPA2766 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HVSON (5x5.4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 130A (TA) | 4.5V, 10V | 1.82mohm @ 39a, 4.5V | - | 257 NC @ 10 V | ± 20V | 10850 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Stgwt40h65dfb | 5.0600 | | 3942 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt40 | Estándar | 283 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 5ohm, 15V | 62 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 498 µJ (Encendido), 363 µJ (apagado) | 210 NC | 40ns/142ns | ||||||||||||||||||||||||
| Stgwt60h60dlfb | - | | 6845 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt60 | Estándar | 375 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60a, 5ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 240 A | 2V @ 15V, 60A | 626 µJ (apaguado) | 306 NC | -/160ns | |||||||||||||||||||||||||
| Stgwt80h65dfb | 5.1703 | | 9575 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt80 | Estándar | 469 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80a, 10ohm, 15V | 85 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 120 A | 240 A | 2v @ 15V, 80a | 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) | 414 NC | 84ns/280ns | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SK208-Y (TE85L, F) | 0.4900 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SK208 | 100 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8.2pf @ 10V | 50 V | 1.2 Ma @ 10 V | 400 MV @ 100 na | 6.5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3320-BL (TE85L, F | 0.7500 | | 72 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 2SK3320 | 200 MW | USV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 13PF @ 10V | 6 Ma @ 10 V | 200 MV @ 100 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3546MTRPBF | - | | 8084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 41-Powervfqfn | IRF3546 | Mosfet (Óxido de metal) | - | 41-PQFN (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canal N | 25V | 16a (TC), 20a (TC) | 3.9mohm @ 27a, 10v | 2.1V @ 35 µA | 15NC @ 4.5V | 1310pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH7084TRPBF | 2.1200 | | 429 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH7084 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 150 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 6560 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFS4321TRL7PP | 2.8400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IRFS4321 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 86a (TC) | 10V | 14.7mohm @ 34a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4460 pf @ 50 V | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | FCPF400N80Z | - | | 6309 | 0.00000000 | onde | Superfet® II | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF400 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 11a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 1.1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 35.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | FDMC86261P | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | FDMC86261 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 2.7a (TA), 9a (TC) | 6V, 10V | 160mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 25V | 1360 pf @ 75 V | - | 2.3W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | FDB8442-F085 | - | | 6736 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FDB844 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 28a (TA) | 10V | 5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPB65R225C7ATMA1 | - | | 2290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R045C7XKSA1 | 14.6900 | | 6498 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R045 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10v | 4V @ 1.25 Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R045C7FKSA1 | 15.0100 | | 8515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R045 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10v | 4V @ 1.25 Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2848 | - | | 3739 | 0.00000000 | Sánken | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK2848 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.750 | N-canal | 600 V | 2a (TA) | 10V | 3.8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 290 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2943 | - | | 9261 | 0.00000000 | Sánken | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK2943 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.750 | N-canal | 900 V | 3a (TA) | 10V | 5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 1MA | ± 30V | 600 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3801 | - | | 3230 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK3801 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.080 | N-canal | 40 V | 70A (TA) | 10V | 6mohm @ 35a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 5100 pf @ 10 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3800VL | - | | 8874 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK3800VL DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 70A (TA) | 10V | 6mohm @ 35a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 5100 pf @ 10 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Buk9c1r3-40ej | - | | 8643 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | BUK9C1 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak-7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067866118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 190a (TC) | 1.3mohm @ 90a, 5V | - | - | - |
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