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Diodos (168966)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
1N6481HE3/96	-	RFQ	2349	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N6481	Estándar	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N6481HE3_A/H	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
RGF1M-E3/67A	0.5400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar	DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
Rs2ghe3/52t	-	RFQ	5963	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2	Estándar	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
U3C-E3/57T	0.2279	RFQ	3665	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	U3C	Estándar	DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 3 A	20 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
Uh3dhe3_a/h	-	RFQ	2018	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	UH3	Estándar	DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.05 v @ 3 a	40 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
KBP08M-E4/51	-	RFQ	8323	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	KBP08	Estándar	KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600					1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
By229b-600-e3/45	-	RFQ	1978	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BYQ28E-100HE3/45	-	RFQ	3187	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	BYQ28	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BYV29-300-E3/45	-	RFQ	1416	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	BYV29	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BYV32-150-E3/45	0.8197	RFQ	6642	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3	BYV32	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C
DF01MA-E3/45	0.2528	RFQ	2673	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)	DF01	Estándar	DFM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V		1 A		Fase única	100 V
DF02M-E3/45	0.7800	RFQ	468	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)	DF02	Estándar	DFM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 200 V		1 A		Fase única	200 V
DF06M-E3/45	0.7800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)	DF06	Estándar	DFM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 600 V		1 A		Fase única	600 V
Fep16gthe3/45	-	RFQ	1119	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	FEP16	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	16A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Fep16hthe3/45	-	RFQ	9211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	FEP16	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	500 V	16A	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C
M2045S-E3/4W	-	RFQ	7170	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	M2045	Schottky	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		700 MV @ 20 A		200 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MBR10H60HE3/45	-	RFQ	9350	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR10	Schottky	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		710 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
MBRB1035HE3/45	-	RFQ	3592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBRF2060CT-E3/45	0.8399	RFQ	7843	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF2060	Schottky	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	800 MV @ 10 A		150 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SBLB1630CThe3/45	-	RFQ	2112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1630	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C
UGB10CCThe3/45	-	RFQ	8948	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB10	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Ugb10ccthe3_a/p	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
UGF15JT-E3/45	-	RFQ	4396	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF15	Estándar	ITO-220AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 15 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	-
UGF15JTHTHTHE3/45	-	RFQ	3723	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF15	Estándar	ITO-220AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 15 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	-
UGF5JT-E3/45	-	RFQ	2767	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF5	Estándar	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 v @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Ugf8jthe3_a/p	-	RFQ	8797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF8	Estándar	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 v @ 8 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UHF20FCT-E3/4W	-	RFQ	4464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UHF20	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	10A	1.2 v @ 10 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VF30100C-E3/4W	1.7500	RFQ	8209	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF30100	Schottky	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	15A	800 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VSIB10A20-E3/45	-	RFQ	6453	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GSIB-5S	VSIB10	Estándar	GSIB-5S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.200					1 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 A		Fase única	200 V
SBT100-16JS	-	RFQ	1071	onde	-	Una granela	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SBT100	Schottky	A 220 ml	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	160 V	10A	880 MV @ 5 A		200 µA @ 160 V	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (168966)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²