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Imagen | Número de producto | Precio(USD) | cantidad | CANALLA | cantidad disponible | peso (kilogramos) | fabricante | serie | paquete | Estado del producto | tolerancia | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Estuche | Número de producto básico | Tecnología | Potencia - Máx. | Paquete de dispositivo del proveedor | Ficha de datos | Estado RoHS | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | Estado de ALCANCE | Otros nombres | ECCN | HTSUS | Paquete estándar | velocidad | Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.) | Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Corriente - Fuga inversa @ Vr | Temperatura de funcionamiento: unión | Corriente - Promedio Rectificado (Io) | Capacitancia @ Vr, F | Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | Impedancia (Máx.) (Zzt) |
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TZMC7V5-M-18 | 0.0324 | 2294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, TZM-M | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMC7V5 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5V a 200mA | 100 a 5 V | 7,5 voltios | 7 ohmios | |||||||||||
SML4762HE3/61 | - | 1499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101 | Cinta y carrete (TR) | Descatalogado en el SIC | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4762 | 1W | DO-214AC (SMA) | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA a 62,2 V | 82V | 200 ohmios | ||||||||||||
TLZ39G-GS08 | 0.0335 | 5929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TLZ | Cinta y carrete (TR) | Activo | - | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ39 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 200mA | 40 a 37 V | 39V | 85 ohmios | |||||||||||
TLZ5V1B-GS08 | 0.2500 | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TLZ | Cinta y carrete (TR) | Activo | - | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ5V1 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5V a 200mA | 2 µA a 2 V | 5,1 voltios | 20 ohmios | |||||||||||
TZMA18-GS08 | 0.1497 | 6251 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y carrete (TR) | Activo | - | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMA18 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | - | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 200mA | 100 na @ 13 V | 18V | 50 ohmios | |||||||||||
TZMB11-GS08 | 0.3100 | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, TZM | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMB11 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5V a 200mA | 100 nA a 8,2 V | 11V | 20 ohmios | |||||||||||
TZMC24-M-08 | 0.0324 | 8317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, TZM-M | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMC24 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 200mA | 100 na @ 18 V | 24V | 80 ohmios | |||||||||||
TZMC3V0-GS08 | 0.2300 | 227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, TZM | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMC3V0 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5V a 200mA | 4 µA a 1 V | 3V | 90 ohmios | |||||||||||
TZMC8V2-M-08 | 0.0324 | 1625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, TZM-M | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZMC8V2 | 500 megavatios | SOD-80 MiniMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 200mA | 100 nA a 6,2 V | 8,2 voltios | 7 ohmios | |||||||||||
TZQ5249B-GS08 | 0.0303 | 3820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101 | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | Variante SOD-80 | TZQ5249 | 500 megavatios | SOD-80 QuadroMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 200mA | 100 na @ 14 V | 19v | 23 ohmios | |||||||||||
TZS4681-GS08 | 0.0411 | 8744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101 | Cinta y carrete (TR) | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | Variante SOD-80 | TZS4681 | 500 megavatios | SOD-80 QuadroMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5V a 100mA | 2 µA a 1 V | 2,4 voltios | ||||||||||||
VLZ13B-GS08 | - | 9042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, VLZ | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | - | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | Variante SOD-80 | VLZ13 | 500 megavatios | SOD-80 QuadroMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5V a 200mA | 40 µA a 11,9 V | 12,88 voltios | 14 ohmios | |||||||||||
VLZ18-GS08 | - | 3848 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101, VLZ | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | - | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | Variante SOD-80 | VLZ18 | 500 megavatios | SOD-80 QuadroMELF | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5V a 200mA | 18V | 23 ohmios | ||||||||||||
VIT3060GHM3/4W | - | 3993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automoción, AEC-Q101 | tubos | Obsoleto | A través del agujero | TO-262-3 Cables largos, I²Pak, TO-262AA | VIT3060 | Schottky | TO-262AA | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 60 voltios | 730 mV @ 15 A | 850 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||
CCS15S30,L3F | 0.3800 | 51 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductores y Almacenamiento | - | Cinta y carrete (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, sin plomo | CCS15S30 | Schottky | CST2C | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 20 voltios | 400 mV a 1 A | 500 µA a 30 V | 125°C (máx.) | 1.5A | 200 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
1N4462 | 8.8651 | 7022 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AL, DO-41, Axiales | 1N4462 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 1 µA a 4,5 V | 7,5 voltios | 2,5 ohmios | |||||||||||
1N4691 | 3.9800 | 241 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AH, DO-35, Axiales | 1N4691 | 500 megavatios | DO-35 | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1V a 200mA | 10 µA a 5 V | 6,2 voltios | ||||||||||||
1N5234A | 3.9150 | 1201 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±10% | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AH, DO-35, Axiales | 1N5234 | 500 megavatios | DO-35 | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 2266-1N5234A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5V a 200mA | 5 µA a 3,8 V | 6,2 voltios | 7 ohmios | ||||||||||
1N936B | 6.5800 | 20 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | - | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AH, DO-35, Axiales | 1N936 | 500 megavatios | DO-35 | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA a 6 V | 9V | 20 ohmios | ||||||||||||
S3480 | 55.1200 | 12 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | Montaje de perno | DO-203AB, DO-5, Espárrago | S3480 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 800 voltios | 1,15V a 90A | 10 µA a 800 V | -65°C ~ 200°C | 45A | - | ||||||||||
SBR60100 | 144.5850 | 4995 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | Montaje de perno | DO-203AB, DO-5, Espárrago | SBR60100 | Schottky | HACER-5 | - | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 100 voltios | 1 mA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 60A | - | |||||||||||
UES1104 | 23.4000 | 1658 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | A través del agujero | A, axial | UES1104 | Estándar | A, axial | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 200 voltios | 1,25 V a 1 A | 50 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||
UES1305 | 30.6900 | 3973 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | A través del agujero | B, axiales | UES1305 | Estándar | B, axiales | descargar | RoHS no compatible | No aplicable | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =< 500 ns, >200 mA (Io) | 300 voltios | 1,25 V a 3 A | 50 ns | 20 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||
ENE1N3338B | - | 2197 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje de perno | DO-203AB, DO-5, Espárrago | 50W | DO-203AB | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5V a 10A | 10 µA a 62,2 V | 82 voltios | 11 ohmios | ||||||||||||
ENE1N4125-1 | 4.1400 | 45 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AH, DO-35, Axiales | 1N4125 | 500 megavatios | DO-35 | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1V a 200mA | 10 nA a 35,8 V | 47v | 250 ohmios | |||||||||||
ENE1N4150UR-1 | 1.5300 | 5891 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | Militar, MIL-PRF-19500/231 | un granel | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4150 | Estándar | DO-213AA | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña señal =< 200 mA (Io), cualquier velocidad | 50 voltios | 1V a 200mA | 4 ns | 100 a 50 V | -65°C ~ 175°C | 200mA | - | |||||||||
ENE1N4469 | 6.1500 | 2273 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AL, DO-41, Axiales | 1N4469 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 50 na @ 12 V | 15 voltios | 9 ohmios | |||||||||||
JANTX1N3020B-1 | 8.5800 | 4061 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | - | un granel | Activo | ±5% | -55°C ~ 175°C | A través del agujero | DO-204AL, DO-41, Axiales | 1N3020 | 1W | DO-204AL (DO-41) | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2V a 200mA | 25 µA a 7,6 V | 10 voltios | 7 ohmios | |||||||||||
JANTX1N4099UR-1 | 10.5300 | 7101 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | Militar, MIL-PRF-19500/435 | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4099 | 500 megavatios | DO-213AA | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1V a 200mA | 1 µA a 5,17 V | 6,8 voltios | 200 ohmios | |||||||||||
JANTX1N4103UR-1 | 8.0400 | 9661 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | Militar, MIL-PRF-19500/435 | un granel | Activo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4103 | 500 megavatios | DO-213AA | descargar | RoHS no compatible | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1V a 200mA | 500 na @ 7 V | 9,1 voltios | 200 ohmios |
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