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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EG01W | - |  | 4502 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | EG01 | Estándar | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EG01W DK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 2 V @ 700 Ma | 100 ns | 50 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700mA | - | ||||||||||||
| EK 04V | - | | 6882 | 0.00000000 | Sánken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | Schottky | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 5 Ma @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
| EK 06V0 | - | | 5348 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | EK 06 | Schottky | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 620 MV @ 700 Ma | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700mA | - | ||||||||||||||
| EK 09W | - | | 5254 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | EK 09 | Schottky | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 810 MV @ 700 Ma | 1 ma @ 90 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700mA | - | ||||||||||||||
 | EK 16V1 | - | | 8623 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | Schottky | - | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 620 MV @ 1.5 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||||||
| El 1V0 | - | | 6722 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | El 1 | Estándar | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1.5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||
 | El 1V1 | 0.7100 | | 1 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | - | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1.5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||
| El 1ZV0 | - | | 3469 | 0.00000000 | Sánken | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Axial | El 1 | Estándar | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 1.5 A | 50 ns | 50 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||
| Bb173lxyly | - | | 1247 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882d | BB17 | Sod882d | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067724315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 2.75pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 32 V | 15 | C1/C28 | - | |||||||||||||
 | Rb520cs3002lyl | 0.3000 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | RB520CS3002 | Schottky | DFN1006-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 450 MV @ 10 Ma | 500 na @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | |||||||||||||
 | Byc10-600pq | 0.4620 | | 9599 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 10 A | 19 ns | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | ||||||||||||||
 | DSR8A600 | - | | 8541 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | DSR8A600DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 v @ 8 a | 30 ns | 20 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | 7.7pf @ 100V, 1 MHz | ||||||||||||
 | ES1PCHM3/84A | 0.1673 | | 7242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ES1PCHM3/85A | 0.1673 | | 7838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ESH1PBHM3/84A | 0.1681 | | 3660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ESH1PB-M3/85A | 0.1681 | | 6620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ESH1PCHM3/85A | 0.1681 | | 7196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ESH2PBHM3/84A | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ESH2PC-M3/85A | 0.1493 | | 9107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| PTV11B-M3/84A | 0.1223 | | 3475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV11 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 8 V | 11.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
| PTV11B-M3/85A | 0.1153 | | 4422 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV11 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 8 V | 11.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
| PTV13B-M3/84A | 0.1223 | | 1602 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV13 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 10 V | 14.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
| PTV20B-M3/85A | 0.1153 | | 1275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV20 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 15 V | 21.2 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
| PTV22B-M3/84A | 0.1223 | | 9968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV22 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 17 V | 23.3 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
| PTV27B-M3/84A | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV27 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 21 V | 28.9 V | 16 ohmios | ||||||||||||||
| PTV30B-M3/84A | 0.1223 | | 3005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV30 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 23 V | 32 V | 18 ohmios | ||||||||||||||
| PTV36B-M3/85A | 0.1153 | | 6886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV36 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 27 V | 38 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
| PTV4.3B-M3/84A | 0.0901 | | 4287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV4.3 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 1 V | 4.6 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| PTV6.8B-M3/85A | 0.1721 | | 9025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV6.8 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 3.5 V | 7.3 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
| Rs1pbhm3/85a | - | | 3498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz |
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