SIC
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Diodos (168966)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX55C3V0 Fairchild Semiconductor BZX55C3V0 0.0200
RFQ
 ECAD 4234 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 7,295 1.3 V @ 100 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
1N970B Fairchild Semiconductor 1N970B 1.8400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 5 µA @ 18.2 V 24 V 33 ohmios
KBU8D Fairchild Semiconductor Kbu8d -
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
KBU6D Fairchild Semiconductor Kbu6d 0.5400
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 425 1 v @ 6 a 10 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 94 50 µA @ 6.2 V 8.2 V 6.5 ohmios
3N258 Fairchild Semiconductor 3N258 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 A Fase única 800 V
FLZ8V2B Fairchild Semiconductor FLZ8V2B 0.0200
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 4,230 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 5 V 8 V 6.6 ohmios
KBU6A Fairchild Semiconductor KBU6A 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 287 1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
KBU8B Fairchild Semiconductor Kbu8b 1.0000
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 8 a 10 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 8,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 25pf @ 4V, 1 MHz
BZX55C5V6 Fairchild Semiconductor BZX55C5V6 0.0400
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 25 ohmios
GBU2506-HF Comchip Technology GBU2506-HF 1.0898
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 Tecnología de Collip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2506 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-GBU2506-HF EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
AES2CF-HF Comchip Technology Aes2cf-hf 0.1084
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Tecnología de Collip Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Aes2cf Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
GBU2504-HF Comchip Technology GBU2504-HF 1.0898
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Tecnología de Collip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2504 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-GBU2504-HF EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
SS54BF-HF Comchip Technology SS54BF-HF 0.1697
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos SS54 Schottky SMBF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 800pf @ 4V, 1MHz
GBU2502-HF Comchip Technology GBU2502-HF 1.0898
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 Tecnología de Collip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2502 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-GBU2502-HF EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A 7.9700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D015A120A EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 962pf @ 1v, 1 MHz
NTE633 NTE Electronics, Inc NTE633 0.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE633 EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
NTE6356 NTE Electronics, Inc NTE6356 68.1300
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-9, Stud Estándar Do-9 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6356 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 40 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
NTE627 NTE Electronics, Inc NTE627 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE627 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 8A 950 MV @ 6 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N755A NTE Electronics, Inc 1N755A 0.1500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N755A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 7.5 V 6 ohmios
1N757A NTE Electronics, Inc 1N757A 0.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N757A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 9.1 V 10 ohmios
NTE5949 NTE Electronics, Inc NTE5949 6.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-5, Stud Estándar Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5949 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 15 A 10 Ma @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
RGP15G NTE Electronics, Inc Rgp15g 0.2800
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NTE Electronics, Inc RGP15 Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar Rohs no conforme 2368-RGP15G EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 400 V - 1.5a 25pf @ 4V, 1 MHz
1N4736A NTE Electronics, Inc 1N4736A 0.1400
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N4736A EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
1N4748A NTE Electronics, Inc 1N4748A 0.1400
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N4748A EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
1N4740A NTE Electronics, Inc 1N4740A 0.1400
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N4740A EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
NTE5011T1 NTE Electronics, Inc NTE5011T1 1.4600
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 1% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5011t1 EAR99 8541.10.0050 1 5.6 V 25 ohmios
NTE5301 NTE Electronics, Inc NTE5301 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Estándar 4-SIP descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5301 EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
NTE5148A NTE Electronics, Inc Nte5148a 1.3000
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 5 W Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5148A EAR99 8541.10.0050 1 56 V 35 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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