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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S5bhe3/9at | - |  | 4793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| S5dhe3/9at | - | | 9665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5d | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| S5K-E3/9AT | 0.1647 | | 1685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SA2G-E3/5AT | 0.3900 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Sa2 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 2 a | 1.5 µs | 3 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SA2K-E3/5AT | 0.3900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Sa2 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 2 a | 1.5 µs | 3 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | PTV9.1B-E3/85A | - | | 1262 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV9.1 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 6 V | 9.7 V | 6 ohmios | |||||||||||
 | RGL34B-E3/83 | 0.1635 | | 6760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | RGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | RGL41A-E3/97 | 0.1284 | | 3516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | RGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| RGL41B-E3/97 | 0.1284 | | 7916 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | RGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| RGL41DHE3/97 | - | | 7195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | RGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Rgl41dhe3_a/i | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| RGL41J-E3/97 | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | RGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SE15PJ-M3/85A | 0.1005 | | 1741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE15 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 V @ 1.5 A | 900 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 9.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SE15PJHM3/85A | 0.1005 | | 6860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE15 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 V @ 1.5 A | 900 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 9.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SGL41-20HE3/97 | - | | 8049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | SGL41 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SGL41-20HE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SGL41-30HE3/97 | - | | 8469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | SGL41 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SGL41-30HE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SL12-E3/5AT | 0.5000 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SL12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 445 MV @ 1 A | 200 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
| SL13-E3/5AT | 0.5000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SL13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 445 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
 | SL23-E3/5BT | 0.5500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SL23 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 440 MV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
| SL42HE3/9AT | - | | 8217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SL42 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 420 MV @ 4 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | ||||||||||
 | SB030-E3/54 | - | | 3276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | SB030 | Schottky | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 600 Ma | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 600mA | - | ||||||||||
 | SB130-E3/54 | 0.4200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB130 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 480 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| SB140A-E3/54 | - | | 6333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 480 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| SB1H90-E3/54 | 0.3500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB1H90 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 770 MV @ 1 A | 1 µA @ 90 V | 175 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||
 | SB230-E3/54 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SB230 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
 | SB5H100HE3/54 | - | | 4458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB5H100 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 5 A | 200 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||
 | SBLB1030-E3/81 | - | | 9943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 10A | - | ||||||||||
| SBLB10L30HE3/81 | - | | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB10L30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
| SBLB1630CThe3/81 | - | | 5552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1630 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 8A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
| SBLB8L40HE3/81 | - | | 2897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB8L40 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 8 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||
| SBYV26C-E3/54 | 0.5100 | | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SBYV26 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.5 v @ 1 a | 30 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
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