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Memoria(70838)
| Imagen | Número de producto | Precio(USD) | cantidad | CANALLA | cantidad disponible | peso (kilogramos) | fabricante | serie | paquete | Estado del producto | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / Estuche | Número de producto básico | Tecnología | Tensión - Suministro | Paquete de dispositivo del proveedor | Ficha de datos | Estado RoHS | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | Estado de ALCANCE | Otros nombres | ECCN | HTSUS | Paquete estándar | Frecuencia del reloj | Tipo de memoria | Tamaño de la memoria | Tiempo de acceso | Formato de memoria | Organización de la memoria | Interfaz de memoria | Tiempo de ciclo de escritura: Word, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W9425G6KH-5 | 1.9307 |  | 9650 | 0.00000000 | Electronica Winbond | - | Bandeja | Activo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) | W9425G6 | SDRAM - DDR | 2,3V ~ 2,7V | 66-TSOPII | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200MHz | Volátil | 256Mbits | 55 ns | DRACMA | 16M x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MTFC8GLDDQ-4M ES | - | | 1441 | 0.00000000 | Tecnología Micron Inc. | e•MMC™ | un granel | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 100-LBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | 1,65V ~ 3,6V | 100-LBGA (14x18) | - | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | no volátil | 64 GB | DESTELLO | 8Gx8 | MMC | - | ||||
 | SST26WF040BT-104I/CS | 1.4550 | | 9058 | 0.00000000 | Tecnología de microchips | SST26 SQI® | Cinta y carrete (TR) | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 8-UFBGA, CSPBGA | SST26WF040 | DESTELLO | 1,65V ~ 1,95V | 8-CSP | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104MHz | no volátil | 4Mbits | DESTELLO | 512Kx8 | SPI - E/S cuádruple | 1,5 ms | |||
 | N25Q032A13ESEA0F TR | - | | 7534 | 0.00000000 | Tecnología Micron Inc. | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | N25Q032A13 | FLASH-NI | 2,7V ~ 3,6V | 8-POE2 | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 108MHz | no volátil | 32Mbps | DESTELLO | 8M x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | W631GU6KB-12 TR | - | | 5689 | 0.00000000 | Electronica Winbond | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-WBGA (9x13) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 800MHz | Volátil | 1Gbit | 20 ns | DRACMA | 64M x 16 | Paralelo | - | ||
 | W9864G2JB-6TR | 3.8212 | | 9378 | 0.00000000 | Electronica Winbond | - | Cinta y carrete (TR) | No para nuevos diseños | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | W9864G2 | SDRAM | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | - | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166MHz | Volátil | 64Mbits | 5 ns | DRACMA | 2M x 32 | Paralelo | - | ||
 | W25Q32FWXGIG TR | - | | 9875 | 0.00000000 | Electronica Winbond | SpiFlash® | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla expuesta 8-XDFN | W25Q32 | FLASH-NI | 1,65V ~ 1,95V | 8-XSON (4x4) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 104MHz | no volátil | 32 Mbit | DESTELLO | 4M x 8 | SPI: E/S cuádruple, QPI | 60 µs, 5 ms | |||
 | CY14B116N-Z45XI | 73.5000 | | 6471 | 0.00000000 | Tecnologías Infineon | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de ancho) | CY14B116 | NVSRAM (SRAM no volátil) | 2,7V ~ 3,6V | 48-TSOPI | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 192 | no volátil | 16Mbps | 45 ns | NVSRAM | 1M x 16 | Paralelo | 45ns | |||
| AK6480AF | - | | 6701 | 0.00000000 | Microdispositivos Asahi Kasei/AKM | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | AK6480 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-POE | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 1.000 | 1MHz | no volátil | 8Kbits | EEPROM | 512x16 | SPI | - | |||||
 | IS39LV010-70VCE | - | | 8104 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | tubos | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0,488", 12,40 mm de ancho) | IS39LV010 | FLASH-NI | 2,7V ~ 3,6V | 32-VSOP | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 706-1349 | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | no volátil | 1Mbit | 70 ns | DESTELLO | 128Kx8 | Paralelo | 70ns | ||
 | FM25V02A-GTR | 6.4000 | | 2 | 0.00000000 | Tecnologías Infineon | F-RAM™ | Cinta y carrete (TR) | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | FM25V02 | FRAM (RAM ferroeléctrica) | 2V ~ 3.6V | 8-SOICO | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 40MHz | no volátil | 256 Kbits | marco | 32Kx8 | SPI | - | |||
 | AS4C8M16SA-6TCN | 3.5500 | | 1 | 0.00000000 | Alianza Memoria, Inc. | - | Bandeja | Activo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) | AS4C8M16 | SDRAM | 3V ~ 3.6V | 54-TSOPII | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 1450-1266 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166MHz | Volátil | 128Mbps | 5 ns | DRACMA | 8M x 16 | Paralelo | 12ns | |
 | CY62147G18-55BVXI | 6.5450 | | 8659 | 0.00000000 | Tecnologías Infineon | MOBL® | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 48-VFBGA | CY62147 | SRAM - Asíncrono | 1,65V ~ 2,2V | 48-VFBGA (6x8) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4.800 | Volátil | 4Mbits | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | CY7C1041G30-10BVXI | 7.2200 | | 5745 | 0.00000000 | Tecnologías Infineon | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 48-VFBGA | CY7C1041 | SRAM - Asíncrono | 2,2V ~ 3,6V | 48-VFBGA (6x8) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volátil | 4Mbits | 10 segundos | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 10ns | |||
| CY7S1041G30-10BVXI | 9.6250 | | 7987 | 0.00000000 | Tecnologías Infineon | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 48-VFBGA | CY7S1041 | SRAM - Asíncrono | 2,2V ~ 3,6V | 48-VFBGA (6x8) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4.800 | Volátil | 4Mbits | 10 segundos | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 10ns | |||
 | MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C | - | | 8358 | 0.00000000 | Tecnología Micron Inc. | - | un granel | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 100-TBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7V ~ 3,6V | 100 TBGA (12x18) | - | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83MHz | no volátil | 128 GB | DESTELLO | 16Gx8 | Paralelo | - | |||
| MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A | 252.4600 | | 247 | 0.00000000 | Tecnología Micron Inc. | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 100-LBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7V ~ 3,6V | 100-LBGA (12x18) | - | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | no volátil | 256 GB | DESTELLO | 32Gx8 | Paralelo | - | |||
 | MTFC32GJDED-3M PESO | - | | 3571 | 0.00000000 | Tecnología Micron Inc. | e•MMC™ | Bandeja | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 169-VFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 1,65V ~ 3,6V | 169-VFBGA (14x18) | - | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 980 | no volátil | 256 GB | DESTELLO | 32Gx8 | MMC | - | ||||
 | IS43LD32320A-25BLI | - | | 7042 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Bandeja | Descatalogado en el SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD32320 | SDRAM-LPDDR2 móvil | 1,14V ~ 1,95V | 134-TFBGA (10x11,5) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 706-1357 | EAR99 | 8542.32.0002 | 171 | 400MHz | Volátil | 1Gbit | DRACMA | 32M x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| IS43LD16640A-3BLI | - | | 6668 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Bandeja | Descatalogado en el SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM-LPDDR2 móvil | 1,14V ~ 1,95V | 134-TFBGA (10x11,5) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 171 | 333MHz | Volátil | 1Gbit | DRACMA | 64M x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS61LF102418B-7.5TQLI | 17.2425 | | 8483 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 100-LQFP | IS61LF102418 | SRAM - Síncrono, SDR | 3135 V ~ 3465 V | 100-LQFP (14x20) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117MHz | Volátil | 18Mbits | 7,5 segundos | SRAM | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
| IS61NLP102418B-200TQLI | 19.1200 | | 8368 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 100-LQFP | IS61NLP102418 | SRAM - Síncrono, SDR | 3135 V ~ 3465 V | 100-LQFP (14x20) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200MHz | Volátil | 18Mbits | 3 ns | SRAM | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
| IS61NLP51236B-200TQLI | 17.2425 | | 9873 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Bandeja | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 100-LQFP | IS61NLP51236 | SRAM - Síncrono, SDR | 3135 V ~ 3465 V | 100-LQFP (14x20) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200MHz | Volátil | 18Mbits | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Paralelo | - | ||
 | LE25FU406BMB-TLM-H | - | | 3719 | 0.00000000 | onsemi | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | LE25F | DESTELLO | 2,3V ~ 3,6V | 8-POE | descargar | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 30MHz | no volátil | 4Mbits | DESTELLO | 512Kx8 | SPI | 2,5 ms | ||||
 | FT25C64A-UTR-B | - | | 6451 | 0.00000000 | Fremont Micro Dispositivos Ltd | - | tubos | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de ancho) | FT25C64 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-POSTES | descargar | Cumple con ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH No afectado | 1219-1185 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20MHz | no volátil | 64 Kbits | EEPROM | 8Kx8 | SPI | 5 ms | ||
 | IS25LQ016B-JLLE-TR | - | | 2851 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla expuesta 8-WDFN | IS25LQ016 | FLASH-NI | 2,3V ~ 3,6V | 8-WSON (8x6) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104MHz | no volátil | 16Mbps | DESTELLO | 2Mx8 | SPI - E/S cuádruple | 1ms | |||
 | IS42S32160F-6BLI-TR | 12.6600 | | 4218 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Cinta y carrete (TR) | Activo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 167MHz | Volátil | 512 MBit | 5,4 segundos | DRACMA | 16M x 32 | Paralelo | - | ||
 | IS42S32800J-7TL-TR | 5.2224 | | 2670 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Cinta y carrete (TR) | Activo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3.6V | 86-TSOPII | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143MHz | Volátil | 256Mbits | 5,4 segundos | DRACMA | 8M x 32 | Paralelo | - | ||
 | IS43TR81280B-125JBL-TR | - | | 4852 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | Cinta y carrete (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800MHz | Volátil | 1Gbit | 20 ns | DRACMA | 128Mx8 | Paralelo | 15ns | ||
 | IS45S16160J-7CTLA2 | 5.6109 | | 2256 | 0.00000000 | ISSI, solución integrada de silicio Inc. | - | tubos | Activo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) | IS45S16160 | SDRAM | 3V ~ 3.6V | 54-TSOPII | descargar | Cumple con ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH No afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143MHz | Volátil | 256Mbits | 5,4 segundos | DRACMA | 16M x 16 | Paralelo | - |
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