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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UPA631T1R-E2-AX | - |  | 2085 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-WFDFN Pad, | UPA2631 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Huson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 3a, 1.8v | - | 12.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1240 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Stgwt60h60dlfb | - | | 6845 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt60 | Estándar | 375 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60a, 5ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 240 A | 2V @ 15V, 60A | 626 µJ (apaguado) | 306 NC | -/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| Stgwt80h65dfb | 5.1703 | | 9575 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt80 | Estándar | 469 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80a, 10ohm, 15V | 85 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 120 A | 240 A | 2v @ 15V, 80a | 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) | 414 NC | 84ns/280ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK208-Y (TE85L, F) | 0.4900 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SK208 | 100 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8.2pf @ 10V | 50 V | 1.2 Ma @ 10 V | 400 MV @ 100 na | 6.5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3546MTRPBF | - | | 8084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 41-Powervfqfn | IRF3546 | Mosfet (Óxido de metal) | - | 41-PQFN (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canal N | 25V | 16a (TC), 20a (TC) | 3.9mohm @ 27a, 10v | 2.1V @ 35 µA | 15NC @ 4.5V | 1310pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FCPF400N80Z | - | | 6309 | 0.00000000 | onde | Superfet® II | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF400 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 11a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 1.1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 35.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPB65R225C7ATMA1 | - | | 2290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R045C7FKSA1 | 15.0100 | | 8515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R045 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10v | 4V @ 1.25 Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2848 | - | | 3739 | 0.00000000 | Sánken | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK2848 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.750 | N-canal | 600 V | 2a (TA) | 10V | 3.8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 290 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3800VL | - | | 8874 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SK3800VL DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 70A (TA) | 10V | 6mohm @ 35a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 5100 pf @ 10 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9c1r3-40ej | - | | 8643 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | BUK9C1 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak-7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067866118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 190a (TC) | 1.3mohm @ 90a, 5V | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7k6r2-40ex | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7k6 | Mosfet (Óxido de metal) | 68w | Lfpak56d | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 40A | 5.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 1MA | 32.3nc @ 10V | 2210pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7k8r7-40ex | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7k8 | Mosfet (Óxido de metal) | 53W | Lfpak56d | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 30A | 8.5mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 21.8nc @ 10V | 1439pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9K134-100EX | 1.0400 | | 2757 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9k134 | Mosfet (Óxido de metal) | 32W | Lfpak56d | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 8.5A | 159mohm @ 5a, 5V | 2.1V @ 1MA | 7.4nc @ 5V | 755pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmpb20enz | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | PMPB20 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN2020MD-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 7a, 10v | 2V @ 250 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BLF10M6135U | - | | 4020 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | 871.5MHz ~ 891.5MHz | Ldmos | Sot502a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067991112 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 20 | - | 950 Ma | 26.5w | 21db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF10M6160U | - | | 2928 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | 922.5MHz ~ 957.5MHz | Ldmos | Sot502a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067993112 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 20 | - | 1.2 A | 32W | 22.5db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDP030N06B-F102 | 2.5200 | | 3105 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FDP030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3.1mohm @ 100a, 10v | 4V @ 250 µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 8030 pf @ 30 V | - | 205W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Fdpf4n60nz | - | | 3018 | 0.00000000 | onde | Unifet-ii ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FDPF4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.8a (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.9a, 10V | 5V @ 250 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 25V | 510 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FGA30N65SMD | - | | 7531 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA30N65 | Estándar | 300 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2832-FGA30N65SMD | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 30a, 6ohm, 15V | 35 ns | Parada de Campo | 650 V | 60 A | 90 A | 2.5V @ 15V, 30a | 716 µJ (Encendido), 208 µJ (apagado) | 87 NC | 14NS/102NS | ||||||||||||||||||||||||||
 | FGH30T65UPDT-F155 | - | | 2068 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | FGH30 | Estándar | 250 W | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 30a, 8ohm, 15V | 43 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 60 A | 90 A | 2.3V @ 15V, 30a | 760 µJ (Encendido), 400 µJ (apagado) | 155 NC | 22ns/139ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | FCD620N60ZF | 1.9600 | | 10 | 0.00000000 | onde | Hiperfet ™, Polar ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FCD620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 620mohm @ 3.6a, 10V | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1135 pf @ 25 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| FGD3040G2-F085 | 1.9200 | | 1144 | 0.00000000 | onde | Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FGD3040 | Lógica | 150 W | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 6.5a, 1kohm, 5V | - | 400 V | 41 A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 21 NC | -/4.8 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixyp50n65c3 | 8.0100 | | 2 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™, XPT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Ixyp50 | Estándar | 600 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 36A, 5ohm, 15V | PT | 650 V | 130 A | 250 A | 2.1V @ 15V, 36A | 1.3MJ (Encendido), 370 µJ (apaguado) | 80 NC | 22ns/80ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IXYH75N65C3H1 | 17.6000 | | 24 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™, XPT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ixyh75 | Estándar | 750 W | TO-247 (IXTH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60a, 3ohm, 15V | 150 ns | PT | 650 V | 170 A | 360 A | 2.3V @ 15V, 60A | 2.8MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado) | 123 NC | 27ns/93ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Ixyh40n65c3 | - | | 6118 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™, XPT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ixyh40 | Estándar | 300 W | TO-247 (IXTH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | PT | 650 V | 80 A | 180 A | 2.2V @ 15V, 40A | 860 µJ (Encendido), 400 µJ (apagado) | 70 NC | 26ns/106ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF137 | 53.7600 | | 24 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | - | Banda | Activo | 65 V | 211-07 | 150MHz ~ 400MHz | Mosfet | 211-07, Estilo 2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1465-1148 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | N-canal | 5A | 25 Ma | 30W | 7.7db ~ 16db | 1.5db | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD23381F4 | 0.4500 | | 257 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23381 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.14 NC @ 4.5 V | -8v | 236 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | STF40N60M2 | 6.2700 | | 9143 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ ii plus | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 25V | 2500 pf @ 100 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Stw40n60m2 | 8.7300 | | 600 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ ii plus | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 25V | 2500 pf @ 100 V | - | 250W (TC) |
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