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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD068N10N3GBTMA1 | - |  | 1037 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD068N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 90A (TC) | 6V, 10V | 6.8mohm @ 90a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4910 pf @ 50 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||
| Ipd16cne8n g | - | | 1936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD16C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 85 V | 53A (TC) | 10V | 16mohm @ 53a, 10v | 4V @ 61 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 40 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||
| IPD200N15N3GBTMA1 | - | | 2157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD200N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 50A (TC) | 8V, 10V | 20mohm @ 50a, 10v | 4V @ 90 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 75 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||
| IPD22N08S2L50ATMA1 | 1.3000 | | 5376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD22N08 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 75 V | 27a (TC) | 5V, 10V | 50mohm @ 50A, 10V | 2V @ 31 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||
| IPD30N03S2L07ATMA1 | - | | 1531 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD30N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 30a, 10v | 2V @ 85 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||
| IPD30N03S2L20ATMA1 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD30N03 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 2V @ 23 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||
| IPD30N06S2-15 | - | | 7998 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD30N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 14.7mohm @ 30a, 10V | 4V @ 80 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||
| IPD49CN10N G | - | | 5395 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD49C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 10V | 49mohm @ 20a, 10v | 4V @ 20 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 1090 pf @ 50 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||
| IPD50N06S214ATMA1 | - | | 8960 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 50A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a, 10v | 4V @ 80 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||
| IPD50P03P4L11ATMA1 | 1.5700 | | 9014 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 50A, 10V | 2V @ 85 µA | 55 NC @ 10 V | +5V, -16V | 3770 pf @ 25 V | - | 58W (TC) | ||||||||||||||
| IPD50R520CP | - | | 4818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000236063 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 7.1a (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 100 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||
| IPD64CN10N G | - | | 7195 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD64C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 10V | 64mohm @ 17a, 10v | 4V @ 20 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 569 pf @ 50 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF1324LPBF | - | | 5251 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001564274 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 24 V | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFB3307ZGPBF | - | | 3213 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001551736 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
| Irfb4115pbf | 4.0500 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB4115 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 150 V | 104a (TC) | 10V | 11mohm @ 62a, 10v | 5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFS3004TRL7PP | 4.9900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IRFS3004 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 1.25mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9130 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFS3004TRLPBF | 4.0900 | | 61 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS3004 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 195a (TA) | 10V | 1.75mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | 3.6500 | | 23 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS4115 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 195a (TC) | 10V | 12.1mohm @ 62a, 10v | 5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | - | | 4541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10v | 5V @ 100 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||||
| IRFSL3004PBF | - | | 8644 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001578466 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 195a (TA) | 10V | 1.75mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||
| IRFSL3006PBF | 6.4700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFSL3006 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 8970 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
 | IRG4PH50S-EPBF | - | | 5446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PH50 | Estándar | 200 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V, 33a, 5ohm, 15V | - | 1200 V | 57 A | 114 A | 1.7V @ 15V, 33a | 1.8MJ (Encendido), 19.6MJ (apaguado) | 167 NC | 32NS/845NS | ||||||||||||||||
 | IRG7PH42UD-EP | - | | 4986 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irg7ph | Estándar | 320 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | 153 ns | Zanja | 1200 V | 85 A | 90 A | 2V @ 15V, 30a | 2.11mj (Encendido), 1.18mj (apaguado) | 157 NC | 25ns/229ns | |||||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | 3.8000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLS3036 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11210 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
| IRLS4030TRLPBF | 4.3400 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLS4030 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | 4.5600 | | 7490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRLSL4030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||
 | IRLU3636PBF | 2.3200 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU3636 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567320 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50A, 10V | 2.5V @ 100 µA | 49 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3779 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | |||||||||||||
 | Ixtq74n15t | - | | 5488 | 0.00000000 | Ixys | Zanja | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq74 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 V | 74a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| Ixtq88n15 | - | | 2016 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq88 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 V | 88a (TC) | 10V | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||
 | IXTT30N50L | - | | 4237 | 0.00000000 | Ixys | Lineal | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Ixtt30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 268AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 10200 pf @ 25 V | - | 400W (TC) |
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