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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Calificaciones | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Freacuencia | Productora | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Real - Suministro (Max) | Base de resonancia | Estabilidad de Frecuencia | Rango de Extracció Absoluta (APR) | Difundir el Ancho de Banda del Espectro | Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC1001BI1-048.0000T | - |  | 5832 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 48 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001BI2-001.0000T | - | | 9781 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 1 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
 | DSC1001AC2-010.0000 | - | | 8768 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 10 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE2-032.7680 | - | | 3431 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 32.768 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI1-005.0000 | 0.9200 | | 1430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 5 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI5-050.0000 | - | | 1547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 50 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001al5-032.0000 | - | | 5619 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 32 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001BI1-012.2880 | - | | 8395 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 12.288 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001BI2-025.0000T | - | | 2362 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 25 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001BI2-040.0000T | - | | 6790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 40 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE1-002.4400T | - | | 7852 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 2.44 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE1-054.0000T | - | | 5234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 54 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE2-024.0000T | - | | 9727 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 24 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE2-027.0000T | - | | 2408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 27 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE2-080.0000T | - | | 1160 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 80 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8.7mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AE5-098.3040T | - | | 1020 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 98.304 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8.7mA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI1-033.3330T | - | | 2561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 33.333 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-012.2880T | - | | 6289 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 12.288 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-014.5000T | - | | 7718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 14.5 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-015.0000T | - | | 3991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 15 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
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| DSC1001AI2-025.0007T | - | | 7675 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 25.0007 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 6.3MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-030.0000T | - | | 1106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 30 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-040.0000T | - | | 1956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 40 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-040.3200T | - | | 6939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 40.32 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
| DSC1001AI2-051.8000T | - | | 8160 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo | Xo (Estándar) | DSC1001 | 51.8 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 7.2MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |
 | AST3TQ53-V-20.000MHz-1-SW | - | | 5021 | 0.00000000 | Abracon LLC | AST3TQ53 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.205 "L x 0.134" W (5.20 mm x 3.40 mm) | 0.063 "(1.60 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | VCTCXO | 20 MHz | Onda sinusoidal recortada | 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 6mA | Cristal | ± 100ppb | - | - | |||
| AST3TQ53-V-20.000MHz-5-C-T5 | - | | 6366 | 0.00000000 | Abracon LLC | AST3TQ53 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.205 "L x 0.134" W (5.20 mm x 3.40 mm) | 0.063 "(1.60 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | VCTCXO | 20 MHz | LVCMOS | 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | 6mA | Cristal | ± 50ppb | - | - | |||
| AST3TQ53-T-20.000MHz-5-SW | - | | 1627 | 0.00000000 | Abracon LLC | AST3TQ53 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.205 "L x 0.134" W (5.20 mm x 3.40 mm) | 0.063 "(1.60 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Tcxo | 20 MHz | Onda sinusoidal recortada | 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | - | 6mA | Cristal | ± 50ppb | - | - |
2000+
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Unidad de producto estándar
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