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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC1121DI1-075.0000T Microchip Technology DSC1121DI1-075.0000T -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1121 75 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 50ppm - - 22 MA
DSC1121DI2-100.0000T Microchip Technology DSC1121DI2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1121 100 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1001CE2-024.0000 Microchip Technology DSC1001CE2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-002.0480 Microchip Technology DSC1001CI2-002.0480 -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 2.048 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-019.2000 Microchip Technology DSC1001CI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-025.0010 Microchip Technology DSC1001CI2-025.0010 -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 25.001 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-028.6363 Microchip Technology DSC1001CI2-028.6363 -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 28.6363 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-032.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-033.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-033.0000 -
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-034.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-034.0000 -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 34 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-035.4689 Microchip Technology DSC1001CI2-035.4689 -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 35.4689 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-026.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-026.0000 2.5100
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-066.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-066.0000 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-026.6600 Microchip Technology DSC1001CL2-026.6600 -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 26.66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-027.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DC1-066.6600 Microchip Technology DSC1001DC1-066.6600 -
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 66.66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-012.5000 Microchip Technology DSC1001DE1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9725 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 12.5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-018.1000 Microchip Technology DSC1001DE1-018.1000 -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 18.1 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-019.2000 Microchip Technology DSC1001DE1-019.2000 -
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-024.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-024.0000 0.8500
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-030.3779 Microchip Technology DSC1001DE1-030.3779 -
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 30.3779 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-001.8432 Microchip Technology DSC1001DI1-001.8432 1.2600
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.8432 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-019.2000 Microchip Technology DSC1001DI1-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-048.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 48 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-075.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-075.0000 -
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 75 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-008.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-020.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 20 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-026.6000 Microchip Technology DSC1001DI2-026.6000 -
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-033.3333 Microchip Technology DSC1001DI2-033.3333 -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-048.0000 0.9100
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 48 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
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