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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC1001CI1-133.3333 Microchip Technology DSC1001CI1-133.3333 -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 133.3333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-013.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-013.0000 -
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 13 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-012.2880 Microchip Technology DSC1001CI5-012.2880 -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-133.3330 Microchip Technology DSC1001CI5-133.3330 -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 133.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-150.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-150.0000 -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 150 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 12.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-024.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-024.0000 1.1160
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CL5-033.3330 Microchip Technology DSC1001CL5-033.3330 2.6800
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CL5-040.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-040.0000 2.6800
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 40 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DC1-050.0000 Microchip Technology DSC1001DC1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 50 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-033.3333 Microchip Technology DSC1001DE1-033.3333 1.0000
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-037.1250 Microchip Technology DSC1001DE1-037.1250 -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 37.125 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DE2-024.0000 Microchip Technology DSC1001DE2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-005.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-005.0000 0.9720
RFQ
 ECAD 1718 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-012.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-012.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 12 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-024.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-024.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-033.3330 Microchip Technology DSC1001DI1-033.3330 0.8700
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-001.2000 Microchip Technology DSC1001DI2-001.2000 -
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-005.0196 Microchip Technology DSC1001DI2-005.0196 1.0200
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 5.0196 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1001DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-024.5760 Microchip Technology DSC1001DI2-024.5760 0.9100
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-037.4000 Microchip Technology DSC1001DI2-037.4000 -
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 37.4 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-044.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-044.0000 -
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 44 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-074.1758 Microchip Technology DSC1001DI2-074.1758 -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 74.1758 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-008.1920 Microchip Technology DSC1001DI5-008.1920 -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 8.192 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-016.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-016.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 5886 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-031.2500 Microchip Technology DSC1001DI5-031.2500 -
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 31.25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DL1-024.0000 Microchip Technology DSC1001DL1-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DL1-027.0000 Microchip Technology DSC1001DL1-027.0000 -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DL1-033.3330 Microchip Technology DSC1001DL1-033.3330 -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DL2-040.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-040.0000 -
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 40 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
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