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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto ESR (Resistencia en Serie equivalente) Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia MODO de FUNCIONAmiento Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Capacitancia de Carga Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) Tolerancia a la Frecuencia FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC6112HI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6112HI2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xxb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6112HI2B-025.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1.5 µA
DSC1001AI1-026.0000T Microchip Technology DSC1001AI1-026.0000T -
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001AI1-026.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC6101HI3B-100.0000T Microchip Technology DSC6101HI3B-100.0000T -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) DSC6101 100 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6101HI3B-100.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 20ppm - - -
DSA6111JL2B-027.0000TVAO Microchip Technology DSA6111JL2B-027.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) DSA6111 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6111JL2B-027.0000TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1,5 µA (Típico)
DSA6001HI2B-024.0000VAO Microchip Technology DSA6001HI2B-024.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Bolsa Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6001HI2B-024.0000VAO EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001JI1B-020.0000 Microchip Technology DSC6001JI1B-020.0000 -
RFQ
 ECAD 9405 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) DSC6001 20 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6001JI1B-020.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSA1001DL1-016.6666TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-016.6666TVAO -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 16.6666 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1001DL1-016.6666TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-036.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-036.0000T -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 36 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001DI1-036.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1003CI2-020.0000 Microchip Technology DSC1003CI2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1003CI2-020.0000 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC6331JI2FB-024.5760T Microchip Technology DSC6331JI2FB-024.5760T -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 24.576 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6331JI2FB-024.5760TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 2.50%, Propagación Central -
DSA6101JL3B-024.5760VAO Microchip Technology DSA6101JL3B-024.5760VAO -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24.576 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6101JL3B-024.5760VAO EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 20ppm - - -
DSA1121DA2-025.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA2-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1121 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1121DA2-025.0000VAO EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1001BI2-033.3300 Microchip Technology DSC1001BI2-033.3300 -
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.33 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001BI2-033.3300 EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC6331JI3CB-018.4320T Microchip Technology DSC6331JI3CB-018.4320T -
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 18.432 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6331JI3CB-018.4320TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 20ppm - ± 1.00%, Propagación Central -
DSC1001CI2-020.0036 Microchip Technology DSC1001CI2-020.0036 -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 20.0036 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001CI2-020.0036 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1004DL1-125.0000VAO Microchip Technology DSA1004DL1-125.0000VAO -
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1004 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1004 125 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1004DL1-125.0000VAO EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSA1101BA3-062.5000VAO Microchip Technology DSA1101BA3-062.5000VAO -
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1101 62.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1101BA3-062.5000VAO EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 20ppm - - 95 µA
DSA6013JI1B-300K000VAO Microchip Technology DSA6013JI1B-300K000VAO -
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 300 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6013JI1B-300K000VAO EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1,5 µA (Típico)
DSC1121AE5-025.0000T Microchip Technology DSC1121AE5-025.0000T -
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1121AE5-025.00000000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 10ppm - - 22 MA
DSC1103AE2-085.0000T Microchip Technology DSC1103AE2-085.0000T -
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1103 Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) 85 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1103AE2-085.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 32MA Mems ± 25ppm - - 95 µA
VC-820-EAE-KAAN-26M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Tecnología de Microchip VC-820 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.047 "(1.20 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) VC-820 26 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-VC-820-EAE-KAAN-26M0000000 EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 7 MMA Cristal ± 50ppm - - 5 µA
VCC1-B3B-98M0000000 Microchip Technology VCC1-B3B-98M0000000 -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Tecnología de Microchip VCC1 Banda Activo -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.075 "(1.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) VCC1-B3 98 MHz CMOS 3.3V descascar Alcanzar sin afectado 150-VCC1-B3B-98M0000000 EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 50mera Cristal ± 50ppm - - 30 µA
VCC1-9004-114M285000 Microchip Technology VCC1-9004-114M285000 -
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 Tecnología de Microchip VCC1 Banda Activo - - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.075 "(1.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) VCC1-9004 114.285 MHz CMOS - descascar Alcanzar sin afectado 150-VCC1-9004-114M285000 EAR99 8542.39.0001 100 - - Cristal - - - -
VT-501-EAE-2560-10M0000000 Microchip Technology VT-501-EAE-2560-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Tecnología de Microchip VT-501 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.465 "L x 0.390" W (11.80 mm x 9.90 mm) 0.087 "(2.20 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Tcxo VT-501 10 MHz CMOS 3.3V descascar Alcanzar sin afectado 150-VT-501-EAE-2560-10M0000000 EAR99 8542.39.0001 1 - 15 Ma Cristal ± 2.5ppm - - -
VXM9-9009-52M0000000 Microchip Technology VXM9-9009-52M0000000 1.9000
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 Tecnología de Microchip * Banda Activo VXM9-9009 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.60.0060 100
VXM9-9013-50M0000000 Microchip Technology VXM9-9013-50M0000000 2.3400
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Tecnología de Microchip * Banda Activo VXM9-9013 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.60.0060 100
VXM7-9022-12M0000000 Microchip Technology VXM7-9022-12M0000000 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip VXM7 Tape & Reel (TR) Activo 100 ohmios -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Cristal de Mhz VXM7-9022 12 MHz Fundamental descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.60.0050 3.000 12pf ± 50ppm ± 30ppm
CD-700-EAE-KANN-34M3680000 Microchip Technology CD-700-EAE-KANN-34M3680000 -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Tecnología de Microchip CD-700 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 0.295 "L x 0.200" W (7.49 mm x 5.08 mm) 16-SMD, sin Plomo VCXO CMOS 3.3V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-cd-700-EAE-KANN-34M3680000TR EAR99 8542.39.0001 200 - 63MA 0.084 "(2.13 mm) Cristal ± 75 ppm 34.368MHz 17.184MHz - -
CD-700-LAF-GKB-23M5520000 Microchip Technology CD-700-LAF-GKB-23M5520000 -
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Tecnología de Microchip CD-700 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 0.295 "L x 0.200" W (7.49 mm x 5.08 mm) 16-SMD, sin Plomo VCXO CMOS 3.3V - Alcanzar sin afectado 150 CD-700-LAF-GKB-23M5520000TR EAR99 8542.39.0001 10 - 63MA 0.084 "(2.13 mm) Cristal ± 75 ppm 23.552MHz - - -
VCC1-G3C-133M333000 Microchip Technology VCC1-G3C-133M333000 -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 Tecnología de Microchip VCC1 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.075 "(1.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 133.333 MHz CMOS 2.5V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-VCC1-G3C-133M333000TR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 30mera Cristal ± 100ppm - - 30 µA
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