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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Calificaciones	Tamaña / dimensión	AltoRura - Sentada (Max)	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Freacuencia	Productora	Voltaje - Suministro	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Amontonamiento	Real - Suministro (Max)	Alta	Base de resonancia	Estabilidad de Frecuencia	Rango de Extracció Absoluta (APR)	Difundir el Ancho de Banda del Espectro	Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)	FRECUENCIA - Salida 1	FRECUENCIA - Salida 2	FRECUENCIA - Salida 3	FRECUENCIA - Salida 4
DSC1001CC2-012.5000	-	RFQ	1071	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	12.5 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	6.3MA		Mems	± 25ppm	-	-	15 µA
DSC613NI3A-0105B	-	RFQ	4598	Tecnología de Microchip	DSC613	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm)			6-vflga	Xo (Estándar)	DSC613		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	3.000	Habilitar/deshabilitar	6.5mA	0.035 "(0.89 mm)	Mems	± 20ppm			1.5 µA	25MHz	12MHz	32.768 kHz	-
DSA1121DA3-030.0000TVAO	-	RFQ	9449	Tecnología de Microchip	DSA1121	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	DSA1121	30 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	descascar			Alcanzar sin afectado	150-DSA1121DA3-030.0000TVAOTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	35mA		Mems	± 20ppm	-	-	22 MA
DSC1122CI5-048.0020	-	RFQ	7170	Tecnología de Microchip	DSC1122	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1122	48.002 MHz	Lvpecl	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	Habilitar/deshabilitar	58 Ma		Mems	± 10ppm	-	-	22 MA
DSC1121CI2-062.5000	-	RFQ	8392	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1121	62.5 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 25ppm	-	-	22 MA
DSC1001CC2-050.0000	-	RFQ	7840	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	50 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	7.2MA		Mems	± 25ppm	-	-	15 µA
DSC1121am2-010.0000	-	RFQ	7656	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-smd, sin almohadilla exposición de plomo	Xo (Estándar)	DSC1121	10 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	50	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 25ppm	-	-	22 MA
DSC1001CC1-025.0000	-	RFQ	5331	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	25 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	6.3MA		Mems	± 50ppm	-	-	15 µA
DSC1103CI5-200.0000	6.5875	RFQ	3883	Tecnología de Microchip	DSC1103	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1103	200 MHz	LVDS	2.25V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	32MA		Mems	± 10ppm	-	-	95 µA
DSC1121CM1-050.0000	2.0400	RFQ	727	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1121	50 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 50ppm	-	-	22 MA
DSC1121AI2-050.0000	1.0400	RFQ	3419	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-smd, sin almohadilla exposición de plomo	Xo (Estándar)	DSC1121	50 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	50	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 25ppm	-	-	22 MA
DSC1103CE1-200.0000	3.7800	RFQ	255	Tecnología de Microchip	DSC1103	Tubo	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1103	200 MHz	LVDS	2.25V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	En Espera (Potencia)	32MA		Mems	± 50ppm	-	-	95 µA
DSC1001BL5-125.0000	-	RFQ	2865	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	125 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	72	En Espera (Potencia)	8.7mA		Mems	± 10ppm	-	-	15 µA
DSC6121CE2A-0076T	-	RFQ	4903	Tecnología de Microchip	Dsc61xx	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)			4-vdfn	Xo (Estándar)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (typ)	0.035 "(0.89 mm)	Mems	± 25ppm				8MHz, 16MHz	-	-	-
DSC1121DI2-080.0000	-	RFQ	6900	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1121	80 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	140	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 25ppm	-	-	22 MA
DSC1122BE1-025.0000	-	RFQ	7977	Tecnología de Microchip	DSC1122	Tubo	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1122	25 MHz	Lvpecl	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	72	Habilitar/deshabilitar	58 Ma		Mems	± 50ppm	-	-	22 MA
DSC1122CI5-048.0000	-	RFQ	8437	Tecnología de Microchip	DSC1122	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1122	48 MHz	Lvpecl	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	110	Habilitar/deshabilitar	58 Ma		Mems	± 10ppm	-	-	22 MA
DSC1121BI5-150.0000	-	RFQ	6298	Tecnología de Microchip	DSC1121	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	DSC1121	150 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	72	Habilitar/deshabilitar	35mA		Mems	± 10ppm	-	-	22 MA
DSC1001AE5-012.0000	2.5500	RFQ	2	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-smd, sin almohadilla exposición de plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	12 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	50	En Espera (Potencia)	6.5mA		Mems	± 10ppm	-	-	-
DSC1001DL2-033.0000T	-	RFQ	3736	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	33 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	7.2MA		Mems	± 25ppm	-	-	15 µA
DSC1033DC1-050.0000	-	RFQ	1413	Tecnología de Microchip	DSC1033, PureSilicon ™	Tubo	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1033	50 MHz	CMOS	3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	140	En Espera (Potencia)	4MA (typ)		Mems	± 50ppm	-	-	1 µA
DSA1001DI2-012.2880TVAO	-	RFQ	9325	Tecnología de Microchip	DSA1001	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-vdfn	Xo (Estándar)	DSA1001	12.288 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-DSA1001DI2-012.2880TVAO	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	8 MA		Mems	± 25ppm	-	-	15 µA
DSC1001DI1-033.3000	-	RFQ	1270	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	33.3 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	140	En Espera (Potencia)	7.2MA		Mems	± 50ppm	-	-	15 µA
DSC1001DL5-004.0000T	2.0000	RFQ	3293	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	4 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	6.3MA		Mems	± 10ppm	-	-	15 µA
DSC1001DI5-026.0000T	1.8600	RFQ	3857	Tecnología de Microchip	DSC1001	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1001	26 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	6.3MA		Mems	± 10ppm	-	-	15 µA
DSA1101BI3-040.0000VAO	-	RFQ	7616	Tecnología de Microchip	DSA1101	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-vdfn	Xo (Estándar)	DSA1101	40 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	72	En Espera (Potencia)	35mA		Mems	± 20ppm	-	-	95 µA
DSA1001DL2-036.8640TVAO	-	RFQ	2443	Tecnología de Microchip	DSA1001	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	4-vdfn	Xo (Estándar)	DSA1001	36.864 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	10.5MA		Mems	± 25ppm	-	-	15 µA
DSC1123CL3-250.0000T	-	RFQ	3602	Tecnología de Microchip	DSC1123	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	Xo (Estándar)	DSC1123	250 MHz	LVDS	2.25V ~ 3.63V	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-DSC1123CL3-250.0000TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	Habilitar/deshabilitar	32MA		Mems	± 20ppm	-	-	22 MA
DSC1502AI3A-156M2500T	-	RFQ	7919	Tecnología de Microchip	DSC150X	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm)	0.035 "(0.90 mm)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 4-vdfn	Xo (Estándar)		156.25 MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	descascar			Alcanzar sin afectado	150-DSC1502AI3A-156M2500TTR	EAR99	8542.39.0001	1,000	En Espera (Potencia)	7.5mA		Mems	± 20ppm	-	-	1.8 µA (típ)
DSC6101MI1A-008.0000T	-	RFQ	1690	Tecnología de Microchip	Dsc61xx	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm)	0.035 "(0.89 mm)	Montaje en superficie	4-Vflga	Xo (Estándar)		8 MHz	CMOS	1.8v ~ 3.3V	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8542.39.0001	1,000	Habilitar/deshabilitar	3MA (typ)		Mems	± 50ppm	-	-	80 µA (tipos)