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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC1001AI2-054.0000 Microchip Technology DSC1001AI2-054.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 7576 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 54 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-016.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-016.0000 0.8800
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1003DL2-008.0000 Microchip Technology DSC1003DL2-008.0000 1.2900
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1003 8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-029.4912 Microchip Technology DSC1001AI5-029.4912 1.9600
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 29.4912 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-033.3330 Microchip Technology DSC1001AI5-033.3330 1.9600
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-048.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-048.0000 1.9600
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 48 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001AL5-001.8432 Microchip Technology DSC1001al5-001.8432 2.1300
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.8432 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CE2-022.5792 Microchip Technology DSC1001CE2-022.5792 0.9360
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-031.2500 Microchip Technology DSC1001CI2-031.2500 0.9200
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 31.25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-033.3333 Microchip Technology DSC1001CL1-033.3333 1.2600
RFQ
 ECAD 6514 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-066.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-066.0000 0.8700
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-024.5454 Microchip Technology DSC1001DI2-024.5454 0.9100
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24.5454 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-018.4320 Microchip Technology DSC1001DI5-018.4320 1.8600
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 18.432 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-024.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-024.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DL2-090.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-090.0000 1.5000
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 90 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 8.7mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1018BC1-100.0000 Microchip Technology DSC1018BC1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1018 Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 100 MHz CMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 5 Ma (typ) Mems ± 50ppm - - 1 µA
DSC1030DI1-030.0000T Microchip Technology DSC1030DI1-030.0000T -
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1030, PureSilicon ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 30 MHz CMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1 µA
DSC1033AI2-054.0000 Microchip Technology DSC1033AI2-054.0000 1.4300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) 54 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 4MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1 µA
DSC1033BC2-012.0000 Microchip Technology DSC1033BC2-012.0000 -
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 12 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1 µA
DSC1033CE2-074.2500 Microchip Technology DSC1033CE2-074.2500 1.4000
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 74.25 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 4MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1 µA
DSC1101BI5-133.0000 Microchip Technology DSC1101BI5-133.0000 3.1900
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 133 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 10ppm - - 95 µA
DSC1101CM1-033.3333 Microchip Technology DSC1101CM1-033.3333 1.4760
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1101 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - 95 µA
DSC1103CI5-224.8200 Microchip Technology DSC1103CI5-224.8200 5.6300
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1103 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1103 224.82 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 32MA Mems ± 10ppm - - 95 µA
DSC1121AI2-148.5000T Microchip Technology DSC1121AI2-148.5000T 1.1900
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1121 148.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1121BI2-012.2880 Microchip Technology DSC1121BI2-012.2880 1.1880
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1121 12.288 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1121BI2-080.0000 Microchip Technology DSC1121BI2-080.0000 1.3440
RFQ
 ECAD 2703 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1121 80 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1121BI2-100.0000T Microchip Technology DSC1121BI2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1121 100 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1123AE2-040.0000 Microchip Technology DSC1123AE2-040.0000 1.9300
RFQ
 ECAD 1716 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1123 40 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1123BI5-156.2500T Microchip Technology DSC1123BI5-156.2500T 5.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1123 156.25 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 10ppm - - 22 MA
DSC1033BI2-048.0000T Microchip Technology DSC1033BI2-048.0000T -
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 48 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 4MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1 µA
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