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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC6101CI2A-025.0000T Microchip Technology DSC6101CI2A-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 10.5 µA
DSC6101CI2A-027.0000T Microchip Technology DSC6101CI2A-027.0000T -
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 10.5 µA
DSC6101MI2A-024.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 80 µA
DSC1001AE1-027.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-027.0000 0.9100
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001AI2-064.0000 Microchip Technology DSC1001AI2-064.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 64 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001AI2-096.0000 Microchip Technology DSC1001AI2-096.0000 1.1200
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 96 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001BI1-010.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-010.0000 0.9100
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 10 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-016.3840 Microchip Technology DSC1001BI2-016.3840 0.9600
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16.384 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CL5-014.3181 Microchip Technology DSC1001CL5-014.3181 1.8500
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.318 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1003DL2-100.0000 Microchip Technology DSC1003DL2-100.0000 1.5000
RFQ
 ECAD 753 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1003 100 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 9.6MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1004AI2-001.0000 Microchip Technology DSC1004AI2-001.0000 1.2600
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1004 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1004 1 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1004DI2-016.0000 Microchip Technology DSC1004DI2-016.0000 1.2200
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1004 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1004 16 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1033BC1-026.6000 Microchip Technology DSC1033BC1-026.6000 -
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1 µA
DSC1101AI2-064.0000 Microchip Technology DSC1101AI2-064.0000 1.0680
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1101 64 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - 95 µA
DSC1101CI1-025.0000 Microchip Technology DSC1101CI1-025.0000 0.9600
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1101 25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - 95 µA
DSC1101CL5-100.0000 Microchip Technology DSC1101CL5-100.0000 3.0500
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1101 100 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 10ppm - - 95 µA
DSC1102BI2-153.6000 Microchip Technology DSC1102BI2-153.6000 2.2700
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1102 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1102 153.6 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 58 Ma Mems ± 25ppm - - 95 µA
DSC1122DI2-200.0000 Microchip Technology DSC1122DI2-200.0000 3.1900
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1122 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.100 "L x 0.079" W (2.54 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1122 200 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 58 Ma Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1123CI1-027.0000 Microchip Technology DSC1123CI1-027.0000 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 27 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 50ppm - - 22 MA
DSC1123CI5-100.0000 Microchip Technology DSC1123CI5-100.0000 5.7100
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 100 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 10ppm - - 22 MA
DSC6101CI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6101CI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 10.5 µA
DSC1001AE1-014.3182 Microchip Technology DSC1001AE1-014.3182 -
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.3182 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001AE1-111.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-111.0000 1.6400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 111 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001AI2-012.3667 Microchip Technology DSC1001AI2-012.3667 1.0000
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 12.3667 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-012.5000 Microchip Technology DSC1001BI2-012.5000 0.9720
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 12.5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001BL1-060.0000 Microchip Technology DSC1001BL1-060.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 60 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-001.9521 Microchip Technology DSC1001CI2-001.9521 1.2300
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.9521 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-033.3330 Microchip Technology DSC1001CI2-033.3330 0.9200
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-016.3840 Microchip Technology DSC1001CI5-016.3840 1.8800
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16.384 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-030.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-030.0000 1.0100
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 30 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.2MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
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