SIC
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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC2033FI1-F0028 Microchip Technology DSC2033FI1-F0028 -
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC2033 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 14-vfqfn almohadilla exposición Xo (Estándar) DSC2033 LVDS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 38MA (typ) 0.035 "(0.90 mm) Mems ± 50ppm 23 MA 150MHz 200MHz - -
DSC1001DE2-050.0000 Microchip Technology DSC1001DE2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 50 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001DI2-003.0720 Microchip Technology DSC1001DI2-003.0720 -
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 3.072 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001DL5-096.0000 Microchip Technology DSC1001DL5-096.0000 -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 96 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 11.9 MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001CE1-033.3300 Microchip Technology DSC1001CE1-033.3300 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.33 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001CI2-003.0720 Microchip Technology DSC1001CI2-003.0720 -
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 3.072 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-024.3050 Microchip Technology DSC1001CI2-024.3050 -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24.305 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-100.8000 Microchip Technology DSC1001CI2-100.8000 1.0800
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 100.8 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 2266-DSC1001CI2-100.8000 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 11.9 MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001CL2-016.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-016.0000 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001CL5-013.5400 Microchip Technology DSC1001CL5-013.5400 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 13.54 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001CL5-025.6000 Microchip Technology DSC1001CL5-025.6000 -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 25.6 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC6001CI1A-004.0000 Microchip Technology DSC6001CI1A-004.0000 -
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 4 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6011CI2A-014.8820 Microchip Technology DSC6011ci2a-014.8820 -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 14.882 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6013CE1A-002.0000 Microchip Technology DSC6013CE1A-002.0000 -
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6021CI2A-004H Microchip Technology DSC6021CI2A-004H -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 4-vdfn Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (typ) 0.035 "(0.90 mm) Mems ± 25ppm 1MHz, 10MHz - - -
DSC6111CE1A-002.0000 Microchip Technology DSC6111CE1A-002.0000 -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6183CE1A-380K000 Microchip Technology DSC6183CE1A-380K000 -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 380 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6183CI2A-457K000 Microchip Technology DSC6183CI2A-457K000 -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 457 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6331CI1BA-027.0000 Microchip Technology DSC6331CI1BA-027.0000 -
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - ± 0.50%, Propagación Central -
DSC1001BE2-014.7456 Microchip Technology DSC1001BE2-014.7456 -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001BE5-016.0000 Microchip Technology DSC1001BE5-016.0000 -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BI5-028.6363 Microchip Technology DSC1001BI5-028.6363 -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 28.6363 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BI5-033.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-033.0000 -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-001.1385 Microchip Technology DSC1001BL5-001.1385 -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.1385 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001AE1-018.1059 Microchip Technology DSC1001AE1-018.1059 -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 18.1059 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001AL1-001.0000 Microchip Technology DSC1001al1-001.0000 -
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 1 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - -
DSC6001JI1A-025.0000 Microchip Technology DSC6001JI1A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001JI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001JI2A-025.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001JI2A-027.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-027.0000 -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

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