SIC
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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSA6101ML3B-014.7456TVAO Microchip Technology DSA6101ML3B-014.7456TVAO -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 14.7456 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6101ML3B-014.7456TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 20ppm - - -
DSC1102AI1-050.0000T Microchip Technology DSC1102AI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1102 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) 50 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1102AI1-050.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 58 Ma Mems ± 50ppm - - 95 µA
DSC6013HA2B-048.0000 Microchip Technology DSC6013HA2B-048.0000 -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 48 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6013HA2B-048.0000 EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1.5 µA
DSC1001CI2-088.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-088.0000T -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 88 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001CI2-088.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC6332JI3FB-050.0000 Microchip Technology DSC6332JI3FB-050.0000 -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 50 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6332JI3FB-050.0000 EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (typ) Mems ± 20ppm - ± 2.50%, Propagación Central -
DSC6111JI3B-019.2000 Microchip Technology DSC6111JI3B-019.2000 -
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xxb Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) DSC6111 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6111JI3B-019.2000 EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 20ppm - - 1.5 µA
DSA1123DL1-100.0000VAO Microchip Technology DSA1123DL1-100.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Entonces (SAW) DSA1123 100 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1123DL1-100.0000VAO EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 50ppm - - 22 MA
DSC6011MI3B-032.0000 Microchip Technology DSC6011MI3B-032.0000 -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Bolsa Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 32 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6011MI3B-032.0000 EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 20ppm - - 1.5 µA
DSC6301JI1IB-050.0000 Microchip Technology DSC6301JI1IB-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3431 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 50 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6301JI1IB-050.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 50ppm - -1.00%, Propagació Hacia Abajo -
DSC1223BI1-200.0000T Microchip Technology DSC1223BI1-200.0000T -
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X3 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 200 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1223BI1-200.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 32MA (typ) Mems ± 50ppm - - 23 Ma (typ)
DSC2033FL2-F0004T Microchip Technology DSC2033FL2-F0004T -
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC2033 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 14-SMD, sin Plomo MEMS (Silicio) LVDS 2.25V ~ 3.6V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC203333FL2-F0004TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 38MA (typ) 0.037 "(0.95 mm) Mems ± 25ppm 23 MA 100MHz 150MHz - -
DSC1001CI2-020.0037 Microchip Technology DSC1001CI2-020.0037 -
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20.0037 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001CI2-020.0037 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC6001JI2B-042.5000T Microchip Technology DSC6001JI2B-042.5000T -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 42.5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6001JI2B-042.5000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6101JI2B-019.2000 Microchip Technology DSC6101JI2B-019.2000 -
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 19.2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6101JI2B-019.2000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6011JI2B-018.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-018.0000 -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6011JI2B-018.0000 EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSA1101DL3-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1101DL3-020.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1101DL3-020.0000TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 20ppm - - 95 µA
DSC1102AI1-250.0000T Microchip Technology DSC1102AI1-250.0000T -
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1102 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) 250 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1102AI1-250.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 58 Ma Mems ± 50ppm - - 95 µA
DSC1103BL5-026.8800 Microchip Technology DSC1103BL5-026.8800 -
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1103 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 26.88 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1103BL5-026.8800 EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 32MA Mems ± 10ppm - - 95 µA
DSC6001HI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6001HI2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6940 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6001HI2B-025.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6021MI2B-01K2T Microchip Technology DSC6021MI2B-01K2T -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 4-Vflga Xo (Estándar) CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6021MI2B-01K2TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (typ) 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 25ppm - - - -
DSC1123DL2-156.2500 Microchip Technology DSC1123DL2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 156.25 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1123DL2-156.2500 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSA6101JI2B-032K768TVAO Microchip Technology DSA6101JI2B-032K768TVAO -
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6101JI2B-032K768TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6003JI1B-100K000T Microchip Technology DSC6003JI1B-100K000T -
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 100 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6003JI1B-100K000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001JI1B-024.0000 Microchip Technology DSC6001JI1B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6001JI1B-024.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001JI1B-040.0000 Microchip Technology DSC6001JI1B-040.0000 -
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 40 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6001JI1B-040.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSA6001JL3B-024.5760TVAO Microchip Technology DSA6001JL3B-024.5760TVAO -
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSA6001 24.576 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6001JL3B-024.5760TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 20ppm - - -
DSA6101MA1B-033.3300VAO Microchip Technology DSA6101MA1B-033.3300VAO -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) DSA6101 33.33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6101MA1B-033.3300VAO EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6011MI3B-032.0000T Microchip Technology DSC6011MI3B-032.0000T -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 32 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6011MI3B-032.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 20ppm - - 1.5 µA
DSC6331JI1DB-075.0000T Microchip Technology DSC6331JI1DB-075.0000T -
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 75 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6331JI1DB-075.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - ± 1.50%, Propagación Central -
DSC1103CL5-156.2500 Microchip Technology DSC1103CL5-156.2500 -
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1103 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1103 156.25 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1103CL5-156.2500 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 32MA Mems ± 10ppm - - 95 µA
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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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