SIC
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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo)
DSC1001AI2-032.7680 Microchip Technology DSC1001AI2-032.7680 1.2900
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 32.768 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1103AI2-148.5000 Microchip Technology DSC1103AI2-148.5000 2.9700
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1103 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1103 148 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 32MA Mems ± 25ppm - - 95 µA
DSC1121AI5-100.0000 Microchip Technology DSC1121AI5-100.0000 2.9200
RFQ
 ECAD 6273 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1121 100 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1122AE1-100.0000 Microchip Technology DSC112222AE1-100.0000 3.0700
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1122 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1122 100 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 58 Ma Mems ± 50ppm - - 22 MA
DSC1123NL2-100.0000 Microchip Technology DSC1123NL2-100.0000 3.2000
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 100 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 22 MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001BE5-024.0000 Microchip Technology DSC1001BE5-024.0000 2.5200
RFQ
 ECAD 544 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BI5-014.7456 Microchip Technology DSC1001BI5-014.7456 2.5500
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1122BI2-322.0000 Microchip Technology DSC1122BI2-322.0000 4.2700
RFQ
 ECAD 501 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1122 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1122 322 MHz Lvpecl 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 58 Ma Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC6001HE1A-016.0000 Microchip Technology DSC6001HE1A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001HE2A-012.0000 Microchip Technology DSC6001HE2A-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001HE2A-027.0000 Microchip Technology DSC6001HE2A-027.0000 -
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001HI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6001HI1A-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001HI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001HI2A-025.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001HI2A-027.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-027.0000 1.3000
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001MI2A-032.0000 Microchip Technology DSC6001MI2A-032.0000 1.1600
RFQ
 ECAD 737 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6011MI2A-048.0000 Microchip Technology DSC6011MI2A-048.0000 -
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 48 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6083MI2A-032K768 Microchip Technology DSC6083MI2A-032K768 -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6101HE2A-012.2880 Microchip Technology DSC6101HE2A-012.2880 -
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 12 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6101HI2A-025.0000 Microchip Technology DSC6101HI2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6331MI1BA-024.0000 Microchip Technology DSC6331MI1BA-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 100 - 3MA (typ) Mems - - ± 0.50%, Propagación Central -
DSC1001CE5-025.0000 Microchip Technology DSC1001CE5-025.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1123CE1-150.0000 Microchip Technology DSC1123CE1-150.0000 2.9000
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 150 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 22 MA Mems ± 50ppm - - -
DSC6001CE1A-025.0000 Microchip Technology DSC6001CE1A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001CI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6001CI1A-020.0000 1.0300
RFQ
 ECAD 530 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001CI2A-020.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-020.0000 -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001CI2A-024.5760 Microchip Technology DSC6001CI2A-024.5760 -
RFQ
 ECAD 3774 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24.576 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001CI2A-040.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-040.0000 -
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 40 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6003CI2A-010.0000 Microchip Technology DSC6003CI2A-010.0000 -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 10 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6003CI2A-033.0000 Microchip Technology DSC6003CI2A-033.0000 1.0900
RFQ
 ECAD 488 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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