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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | ESR (Resistencia en Serie equivalente) | Temperatura de FuncionAmiento | Calificaciones | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Freacuencia | MODO de FUNCIONAmiento | Productora | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Capacitancia de Carga | Real - Suministro (Max) | Base de resonancia | Estabilidad de Frecuencia | Rango de Extracció Absoluta (APR) | Difundir el Ancho de Banda del Espectro | Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) | Tolerancia a la Frecuencia |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSA1001BL3-025.0000VAO | - |  | 9109 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 25 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1001BL3-025.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 20ppm | - | - | 15 µA | |||||||
 | DSA1123CA3-100.0000TVAO | - | | 4764 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1123 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | 100 MHz | LVDS | 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1123CA3-100.0000TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 32MA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | ||||||
| DSA1121DL2-020.0000TVAO | - | | 8939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DL2-020.0000TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 22 MA | |||||||
 | DSA1001DI1-012.0000TVAO | - | | 9215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | 12 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1001DI1-012.0000TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |||||||
| DSA1121CA3-020.0000VAO | - | | 5911 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121CA3-020.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | Habilitar/deshabilitar | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| DSA1121CI2-020.0000TVAO | - | | 3075 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121CI2-020.0000TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 22 MA | ||||||
 | OX-221-9115-10M000 | - | | 6277 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | OX-221 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 1.000 "L x 0.866" W (25.40 mm x 22.00 mm) | 0.486 "(12.35 mm) | Montaje en superficie | 7-smd, sin plomo | Ocxo | 10 MHz | LVCMOS | 3.3V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 700mA | Cristal | ± 3ppb | - | - | - | ||||||
 | OX-4011-EAE-0580-25M000 | - | | 2552 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Ox-401 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.800 "L x 0.500" W (20.32 mm x 12.70 mm) | 0.433 "(11.00 mm) | Montaje en superficie | 14-smd, sen plomo, 4 cables | Ocxo | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | - | - | Cristal | ± 5ppb | - | - | - | ||||||
 | OX-5021-EAE-1080-25M000 | - | | 8247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Buey-502 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.563 "L x 0.370" W (14.30 mm x 9.40 mm) | 0.256 "(6.50 mm) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | Ocxo | 25 MHz | HCMOS | 3.3V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | - | - | Cristal | ± 10ppb | - | - | - | ||||||
 | VT-807-0001-26M0429680TR | - | | 9590 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VT-807 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.059 "(1.50 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Tcxo | 26.042968 MHz | - | 2.5V ~ 3.3V | - | Alcanzar sin afectado | 150-VT-807-0001-26M0429680TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 1,000 | - | - | Cristal | - | - | - | - | |||||||
 | DSC6101JL2B-032K768T | - | | 7870 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsc61xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-vlga | Xo (Estándar) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6101JL2B-032K768TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 3MA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| VT-822-0007-39M0000000TR | - | | 8043 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VT-822 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.043 "(1.10 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Tcxo | 39 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-VT-822-0007-39M0000000TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 3.000 | Habilitar/deshabilitar | 7 MMA | Cristal | - | - | - | - | |||||||
| DSC6001HE1B-009K091T | - | | 5847 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC60XXB | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-Vflga | Xo (Estándar) | 9.091 kHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6001HE1B-009K091TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 1.3MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
| DSC6111JI2B-024.8060T | - | | 8240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsc61xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-vlga | Xo (Estándar) | 24.806 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DSC6111JI2B-024.8060TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 3MA (typ) | Mems | ± 25ppm | - | - | 1,5 µA (Típico) | ||||||
| DSA6001JI1B-020.0000TVAO | - | | 3786 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Dsa60xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.89 mm) | Montaje en superficie | 4-vlga | Xo (Estándar) | 20 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSA6001JI1B-020.0000TVAOTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 1.3MA (typ) | Mems | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
| VT-827-EFH-256C-19M2000000 | - | | 9269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VT-827 | Banda | La Última Vez Que Compre | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.039 "(1.00 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | VCTCXO | 19.2 MHz | Onda sinusoidal recortada | 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.60.0080 | 100 | Control de amplitud | 2mera | Cristal | ± 2.5ppm | ± 10ppm | - | - | ||||||||
| VT-860-JFE-5070-26M0000000 | - | | 1471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VT-860 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) | 0.028 "(0.70 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Tcxo | 26 MHz | Onda sinusoidal recortada | 1.8V | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 2.3MA | Cristal | ± 500ppb | - | - | - | ||||||||
| VXM9-1DJ-09-32M0000000 | - | | 1054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VXM9 | Banda | Activo | 80 ohmios | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) | 0.022 "(0.55 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Cristal de Mhz | 32 MHz | Fundamental | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.60.0060 | 100 | 9pf | ± 15ppm | ± 20ppm | ||||||||||||
| VT-822-0004-39M0000000 | - | | 5234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VT-822 | Banda | Obsoleto | - | - | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.059 "(1.50 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Tcxo | 39 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.60.0080 | 300 | Habilitar/deshabilitar | 7 MMA | Cristal | - | - | - | - | ||||||||
| VXM8-1CJ-08-32M0000000 | - | | 9882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Vxm8 | Banda | Activo | 50 ohmios | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.100 "L x 0.081" W (2.55 mm x 2.05 mm) | 0.028 "(0.70 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Cristal de Mhz | 32 MHz | Fundamental | - | Alcanzar sin afectado | 150-VXM8-1CJ-08-32M0000000 | EAR99 | 8541.60.0060 | 100 | 8pf | ± 10ppm | ± 20ppm | |||||||||||
| VCC1-A3D-5M00000000 | - | | 7587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VCC1 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.075 "(1.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 5 MHz | CMOS | 5V | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.60.0080 | 100 | Habilitar/deshabilitar | 10 Ma | Cristal | ± 50ppm | - | - | 30 µA | ||||||||
| VC-820-jae-faan-100m000000 | - | | 5402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VC-820 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.047 "(1.20 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 100 MHz | CMOS | 1.8V | - | Alcanzar sin afectado | 150-VC-820-jae-faan-100m000000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Habilitar/deshabilitar | 20 Ma | Cristal | ± 25ppm | - | - | 10 µA | |||||||
| VC-840-JAE-KAAN-156M250000 | - | | 3709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VC-840 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 156.25 MHz | LVCMOS | 1.8V | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.60.0080 | 3.000 | Habilitar/deshabilitar | 20 Ma | Cristal | ± 50ppm | - | - | 10 µA | ||||||||
| VCC1-B3P-25M0000000TR | - | | 5243 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VCC1 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.075 "(1.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-VCC1-B3P-25M0000000TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 20 Ma | Cristal | ± 100ppm | - | - | 30 µA | |||||||
 | VC-711-ODE-EAAN-125M000000TR | - | | 5859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VC-711 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.067 "(1.70 mm) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 125 MHz | LVDS | 3.3V | - | Alcanzar sin afectado | 150-VC-711-ODE-EAAN-125M000000TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 33MA | Cristal | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
| VCC1-A1C-16M0000000TR | - | | 2315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VCC1 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.075 "(1.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 16 MHz | CMOS | 5V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-VCC1-A1C-16M0000000TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 10 Ma | Cristal | ± 100ppm | - | - | 30 µA | ||||||
| VC-889-EAE-KAAN-32K7680000TR | - | | 7882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VC-889 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) | 0.023 "(0.58 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-VC-889-EAE-KAAN-32K7680000TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 3.000 | Habilitar/deshabilitar | 32 µA | Cristal | ± 50ppm | - | - | 5 µA | ||||||
| VC-708-ODE-FNXN-157M980800TR | - | | 1242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VC-708 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.071 "(1.80 mm) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 157.9808 MHz | LVDS | 3.3V | - | Alcanzar sin afectado | 150-VC-708-ODE-FNXN-157M980800TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | 48 Ma | Cristal | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| VCC1-B3C-133M000000TR | - | | 4060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VCC1 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.075 "(1.90 mm) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 133 MHz | CMOS | 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-VCC1-B3C-133M000000TR | EAR99 | 8541.60.0080 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 50mera | Cristal | ± 100ppm | - | - | 30 µA | ||||||
| VCC6-RCF-120M000000TR | - | | 3263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VCC6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.063 "(1.60 mm) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | Xo (Estándar) | 120 MHz | Lvpecl | 2.5V | - | Alcanzar sin afectado | 150-VCC6-RCF-120M000000TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 98 Ma | Cristal | ± 25ppm | - | - | - |
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