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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC6003CE1A-044.2368 Microchip Technology DSC6003CE1A-044.2368 -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 44.2368 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6101CE2A-100.0000 Microchip Technology DSC6101CE2A-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 100 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6101CI1A-003.0000 Microchip Technology DSC6101CI1A-003.0000 -
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 3 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6102CI2A-074.2500 Microchip Technology DSC6102CI2A-074.2500 -
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 74.25 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6112CI2A-083.3545 Microchip Technology DSC6112CI2A-083.3545 -
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 83.3545 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6121CE2A-0036 Microchip Technology DSC6121CE2A-0036 -
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 4-vdfn Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (typ) 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 25ppm 25MHz, 40MHz - - -
DSC6122CI2A-004S Microchip Technology Dsc6122ci2a-004s -
RFQ
 ECAD 8744 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 4-vdfn Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 25ppm 56.32MHz, 56.96MHz - - -
DSC6183CE2A-022K870 Microchip Technology DSC6183CE2A-022K870 -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 22.87 khz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6331CI1HA-033.3333 Microchip Technology DSC6331CI1HA-033.3333 -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.3333 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - -0.50%, Propagació Hacia Abajo -
DSC1001BE1-014.7456 Microchip Technology DSC1001BE1-014.7456 -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001BE2-014.7450 Microchip Technology DSC1001BE2-014.7450 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 14.745 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001BI1-001.8432 Microchip Technology DSC1001BI1-001.8432 -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.8432 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001BI2-016.9344 Microchip Technology DSC1001BI2-016.9344 -
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 16.9344 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001BL5-001.1387 Microchip Technology DSC1001BL5-001.1387 -
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.1387 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-001.1389 Microchip Technology DSC1001BL5-001.1389 -
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 1.1389 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-030.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-030.0000 -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 30 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-033.3330 Microchip Technology DSC1001BL5-033.3330 -
RFQ
 ECAD 3798 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-049.5000 Microchip Technology DSC1001BL5-049.5000 -
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 49.5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001BL5-108.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-108.0000 -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 108 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 8.7mA Mems ± 10ppm - - -
DSC1003BI5-001.7000 Microchip Technology DSC1003BI5-001.7000 -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1003 1.7 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1001AL5-016.7772 Microchip Technology DSC1001al5-016.7772 -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 16.7772 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC6013JI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6013JI1A-020.0000 -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6101JI2A-016.7772 Microchip Technology DSC6101JI2A-016.7772 -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 16.7772 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6111JI2A-100.0000 Microchip Technology DSC6111JI2A-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 100 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
MX553DBG166M666 Microchip Technology MX553DBG166M666 -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx55 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) MX553DBG166M666 166.666 MHz LVDS 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 Habilitar/deshabilitar 90 Ma Cristal ± 50ppm - - -
MX554EBG20M0000 Microchip Technology Mx554ebg20m0000 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx55 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) Mx554ebg20m0000 20 MHz LVDS 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 Habilitar/deshabilitar 90 Ma Cristal ± 50ppm - - -
MX555ANM100M000 Microchip Technology Mx555anm100m000 -
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx55 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) Mx555anm100m000 100 MHz LVDS 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 Habilitar/deshabilitar 90 Ma Cristal ± 50ppm - - -
MX575ABB100M000 Microchip Technology Mx575abb100m000 -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx57 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) Mx575abb100m000 100 MHz LVDS 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 43 Habilitar/deshabilitar 90 Ma Cristal ± 50ppm - - -
MX575ANS100M000 Microchip Technology Mx575ans100m000 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx57 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) Mx575ans100m000 100 MHz LVDS 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 43 Habilitar/deshabilitar 90 Ma Cristal ± 50ppm - - -
DSC1101DE5-012.2880 Microchip Technology DSC1101DE5-012.2880 -
RFQ
 ECAD 5033 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 12.288 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 95 µA Mems ± 10ppm - - -
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