SIC
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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC1001CI5-022.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-022.0000 -
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 22 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 12.2MA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1003CI2-100.0000 Microchip Technology DSC1003CI2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1003 100 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 11.9 MA Mems ± 25ppm - - -
DSC1003CL2-066.0000 Microchip Technology DSC1003CL2-066.0000 -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1003 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1003 66 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 25ppm - - -
DSC1001CE5-002.0000 Microchip Technology DSC1001CE5-002.0000 -
RFQ
 ECAD 9043 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 2 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 10ppm - - -
DSC6111CI2A-023.5200 Microchip Technology DSC6111CI2A-023.5200 -
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 23.52 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC1001BI1-080.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-080.0000 -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 80 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 11.9 MA Mems ± 50ppm - - -
DSC1030BI1-008.0000 Microchip Technology DSC1030BI1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 3924 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1030, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 8 MHz CMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC1033BC1-026.1000 Microchip Technology DSC1033BC1-026.1000 -
RFQ
 ECAD 5549 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1033, PureSilicon ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26.1 MHz CMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 72 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC1001AI1-013.1072 Microchip Technology DSC1001AI1-013.1072 -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 13.1072 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 6.3MA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001AI1-066.0000 Microchip Technology DSC1001AI1-066.0000 -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 50ppm - - -
DSC1001AI5-066.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-066.0000 -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-smd, sin almohadilla exposición de plomo Xo (Estándar) DSC1001 66 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 50 En Espera (Potencia) 7.1mA Mems ± 10ppm - - -
DSC6001JI1A-013.5212 Microchip Technology DSC6001JI1A-013.5212 -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 13.5212 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001JI1A-013.5600 Microchip Technology DSC6001JI1A-013.5600 -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6011JE2A-008.0000 Microchip Technology DSC6011JE2A-008.0000 -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6083JI2A-032K786 Microchip Technology DSC6083JI2A-032K786 -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6101JE2A-024.0000 Microchip Technology DSC6101JE2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6331JI2BA-038.0000 Microchip Technology DSC6331JI2BA-038.0000 -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 0.50%, Propagación Central -
MX555ABA800M000 Microchip Technology MX555ABA800M000 -
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Tecnología de Microchip Mx55 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.055 "(1.40 mm) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) Mx555 800 MHz Lvpecl 2.375V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 Habilitar/deshabilitar 120 Ma Cristal ± 50ppm - - -
DSC1123CL5-433.0000 Microchip Technology DSC1123CL5-433.0000 -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 433 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 22 MA Mems ± 10ppm - - -
DSC1123BE1-100.0000 Microchip Technology DSC1123Be1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 3957 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1123 100 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 22 MA Mems ± 50ppm - - -
DSC6001HE1A-018.7500 Microchip Technology DSC6001HE1A-018.7500 -
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18.75 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001HI1A-030.0000 Microchip Technology DSC6001HI1A-030.0000 -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 30 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001HI1A-032.7680 Microchip Technology DSC6001HI1A-032.7680 -
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6013HI2A-033.6000 Microchip Technology DSC6013HI2A-033.6000 -
RFQ
 ECAD 2575 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 33.6 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6023HE1A-002Y Microchip Technology DSC6023HE1A-002Y -
RFQ
 ECAD 2697 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm 54.68MHz, 54.685MHz - - -
DSC6331HI1BA-027.0000 Microchip Technology DSC6331HI1BA-027.0000 -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - ± 0.50%, Propagación Central -
DSC6001ME1A-080.0000 Microchip Technology DSC6001ME1A-080.0000 -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 80 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001MI1A-025.0000 Microchip Technology DSC6001MI1A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001MI1A-037.1250 Microchip Technology DSC6001MI1A-037.1250 -
RFQ
 ECAD 6313 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 37.125 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
DSC6001MI1A-070.0000 Microchip Technology DSC6001MI1A-070.0000 -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 70 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 100 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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