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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Calificaciones | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Freacuencia | Productora | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Real - Suministro (Max) | Alta | Base de resonancia | Estabilidad de Frecuencia | Rango de Extracció Absoluta (APR) | Difundir el Ancho de Banda del Espectro | Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) | FRECUENCIA - Salida 1 | FRECUENCIA - Salida 2 | FRECUENCIA - Salida 3 | FRECUENCIA - Salida 4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSA1101CA2-010.0000VAO | - |  | 2556 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 10 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CA2-010.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSA1101CI1-050.0000TVAO | - | | 1226 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 50 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CI1-050.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSA1101CI1-050.0000VAO | - | | 9945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 50 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CI1-050.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSA1101CL1-016.0000TVAO | - | | 2570 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 16 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CL1-016.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSA1101CL1-016.0000VAO | - | | 1733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 16 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CL1-016.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSA1101CL2-020.0000VAO | - | | 7536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101CL2-020.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSA1101DA1-004.0000TVAO | - | | 2956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 4 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101DA1-004.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSA1101DA1-040.0000VAO | - | | 8003 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 40 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101DA1-040.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSA1101DA3-122.8800TVAO | - | | 5855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 122.88 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101DA3-122.8800TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSA1101DI1-004.0000TVAO | - | | 5376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1101 | 4 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1101DI1-004.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSA1121CI2-012.0000VAO | - | | 2942 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 12 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121CI2-012.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| DSA1121DA3-016.0000VAO | - | | 8509 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 16 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-016.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| DSA1121DA3-020.0000TVAO | - | | 9056 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-020.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | ||||||
| DSA1121DA3-020.0000VAO | - | | 9015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 20 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-020.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | ||||||
| Dsa2311ka1-r0024tvao | - | | 6347 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA1-R0024TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 25MHz | 24MHz | - | - | |||||||
| Dsa2311ka1-r0075tvao | - | | 2304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA1-R0075TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 20MHz | 15MHz | - | - | ||||||||
| Dsa2311ka2-r0002tvao | - | | 6402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA2-R0002TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 25MHz | 125MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KA2-R0002VAO | - | | 7032 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA2-R0002VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 25MHz | 125MHz | - | - | |||||||
| Dsa2311ka2-r0011tvao | - | | 1781 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-dsa2311ka2-r0011tvao | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 50MHz | 50MHz | - | - | |||||||
| Dsa2311ka2-r0015vao | - | | 1044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA2-R0015VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 24MHz | 25MHz | - | - | ||||||||
| Dsa2311ka2-r0076tvao | - | | 6346 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA2-R0076TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 20MHz | 26.956522MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KI2-R0064VAO | - | | 3342 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KI2-R0064VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 12.288MHz | 24.999724MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KI3-R0067TVAO | - | | 3908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KI3-R0067TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 20ppm | 25MHz | 16MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL1-R0015TVAO | - | | 1700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL1-R0015TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 24MHz | 25MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL1-R0065VAO | - | | 7711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL1-R0065VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 24MHz | 48MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KL1-R0078TVAO | - | | 4000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL1-R0078TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 10MHz | 20MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL1-R0078VAO | - | | 1840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL1-R0078VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 10MHz | 20MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL2-R0015TVAO | - | | 1437 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0015TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 24MHz | 25MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KL2-R0065TVAO | - | | 2424 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0065TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 24MHz | 48MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KL2-R0073TVAO | - | | 7672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0073TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 40MHz | 40MHz | - | - |
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