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Cristales, Osciladores, Resonadores (193603)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro
SIT1602BC-73-33S-38.000000 SiTime SIT1602BC-73-33S-38.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-71-28E-28.636300 SiTime SIT1602BI-71-28E-28.636300 1.5100
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 28.6363 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 20ppm - -
SIT1602BI-73-28E-38.000000 SiTime SIT1602BI-73-28E-38.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-72-28N-66.660000 SiTime SIT1602BI-72-28N-66.660000 1.4100
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 66.66 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BC-73-28N-14.000000 SiTime SIT1602BC-73-28N-4.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 14 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-18N-18.432000 SiTime SIT1602BI-73-18N-18.432000 1.2900
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18.432 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-72-33S-25.000000 SiTime SIT1602BI-72-33S-25.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-73-33E-31.250000 SiTime SIT1602BI-73-33E-31.250000 1.2900
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 31.25 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-18N-30.000000 SiTime SIT1602BI-73-18N-30.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 30 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BC-73-25E-10.000000 SiTime SIT1602BC-73-25E-10.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 10 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.2MA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-72-30E-60.000000 SiTime SIT1602BI-72-30E-60.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 60 MHz HCMOS, LVCMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BC-72-30E-75.000000 SiTime SIT1602BC-72-30E-75.000000 1.3800
RFQ
 ECAD 1842 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 75 MHz HCMOS, LVCMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-73-30S-12.000000 SiTime SIT1602BI-73-30S-12.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 12 MHz HCMOS, LVCMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BC-73-XXN-74.176000 SiTime SIT1602BC-73-XXN-74.176000 1.2600
RFQ
 ECAD 1817 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 74.176 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BC-72-XXN-24.000000 SiTime SIT1602BC-72-XXN-24.000000 1.3800
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT8209AC-83-18E-155.520000 SiTime SIT8209AC-83-18E-155.520000 2.6000
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Sitio SIT8209 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 155.52 MHz Lvcmos, lvttl 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 33MA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-18N-19.200000 SiTime SIT1602BI-73-18N-9.200000 1.2900
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 19.2 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BC-71-25S-66.000000 SiTime SIT1602BC-71-25S-66.000000 1.4800
RFQ
 ECAD 4732 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 66 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 4.2MA Mems ± 20ppm - -
SIT8209AC-83-25E-148.500000 SiTime SIT8209AC-83-25E-148.500000 2.6000
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 Sitio SIT8209 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.039 "(1.00 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 148.5 MHz Lvcmos, lvttl 2.5V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 36 MAPA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-72-28E-25.000000 SiTime SIT1602BI-72-28E-25.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BC-73-18N-54.000000 SiTime SIT1602BC-73-18N-54.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 54 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-18N-24.576000 SiTime SIT1602BI-73-18N-24.576000 1.2900
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24.576 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-33N-35.840000 SiTime SIT1602BI-73-33N-35.840000 1.2900
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 35.84 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-72-30E-66.666600 SiTime SIT1602BI-72-30E-66.666600 1.4100
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 66.6666 MHz HCMOS, LVCMOS 3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BI-72-XXE-40.000000 SiTime SIT1602BI-72-XXE-40.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 40 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 25ppm - -
SIT1602BC-73-18N-48.000000 SiTime SIT1602BC-73-18N-48.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 48 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-28N-37.500000 SiTime SIT1602BI-73-28N-37.500000 1.2900
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 37.5 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-73-33N-32.768000 SiTime SIT1602BI-73-33N-32.768000 1.2900
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602AC-73-33E-60.000000 SiTime SIT1602AC-73-33E-60.000000 1.2600
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Sitio SIT1602 Banda Activo -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 60 MHz LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 50ppm - -
SIT1602BI-71-33E-30.000000 SiTime SIT1602BI-71-33E-30.000000 1.5100
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Sitio SIT1602B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.031 "(0.80 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 30 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 Habilitar/deshabilitar 4.5mA Mems ± 20ppm - -
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

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