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Regulacia Real: Diodos, Transistores (957)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n5293-1 | 99.8700 |  | 4135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5293 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | |||
 | 1N5290 | 18.6000 | | 8031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | ||||
| 1N5304-1 | 21.8250 | | 9714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5304 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
 | Jans1n5290-1/tr | 100.0200 | | 6963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N5290-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||
| CDLL7051/TR | 68.3250 | | 6657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7051/TR | 100 | ||||||||||||||
| 1N5304 | 18.6000 | | 7302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5304 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5304 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||||
 | Jantxv1n5307ur-1/tr | 40.4100 | | 5351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5307 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5307UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| Jantxv1n5300-1/tr | 36.5700 | | 7700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5300 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5300-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | ||
| Jantx1n5294-1/tr | 34.1550 | | 8674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5294 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5294-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | ||
| CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
| Jan1N5288-1 | 25.7400 | | 3662 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5288 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | ||
| Jan1N5305-1/TR | 24.4350 | | 8349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5305 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5305-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2MA | 1.85V | ||
| Jans1n5294-1/tr | 100.0200 | | 3970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5294-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | |||
 | Jan1N5285ur-1/TR | 36.8400 | | 2556 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5285ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1v | ||
| Jantx1n5296-1/tr | 34.1550 | | 3754 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5296 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5296-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001MA | 1.29V | ||
| Jans1n5295ur-1/tr | 130.3050 | | 3405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5295ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | |||
| 1N5284/TR | 18.6900 | | 4524 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5284 | 500MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5284/TR | 100 | 100V | 264 µA | 1v | |||||
| CDS5314UR-1 | - | | 4985 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds5314ur-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDLL5293/TR | 25.2900 | | 9528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5293/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | ||
| Jantxv1n5308-1 | 36.4050 | | 9534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5308 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | ||
| Jantxv1n5286ur-1/tr | 40.4100 | | 3386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5286UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1v | ||
| 1N5286UR-1/TR | 22.0050 | | 1973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5286UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1v | ||
 | 1N5309-1E3 | 18.7950 | | 7245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5309 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5309-1E3 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||
| 1N5299 | 18.6000 | | 2946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5299 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5299 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.45V | |||||
| Jan1n5295ur-1 | 36.6900 | | 4790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | ||
| Jans1n5290-1 | 99.8700 | | 7031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||
| Jans1n5312ur-1 | 131.4000 | | 5036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
| Jantx1n5286-1 | 33.3000 | | 1795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5286 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1v | |||
| Jantxv1n5291-1/tr | 36.5700 | | 9993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5291 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5291-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | ||
| Jantx1n5312ur-1 | 35.6550 | | 8604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | Jantx1n5312ur-1ms | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V |
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