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Regulacia Real: Diodos, Transistores (1067)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5297 | 21.9450 |  | 2662 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | |||
| 1N7048-1/TR | 7.3650 | | 3850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 1N7048 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N7048-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||
 | Jantxv1n5313-1 | 36.4050 | | 3820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5313 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | ||
 | 1N5296 | 2.2500 | | 500 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5296 | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-1N5296 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
| 1N5300-1 | - | | 8259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5300 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-1N5300-1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | |
 | 1N5299ur-1 | 21.8250 | | 6889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5299 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.45V | |||
| 1N5299E3 | 18.7950 | | 6429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5299 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5299E3 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.45V | |||||
| 1N5298ur-1 | 21.8250 | | 3407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5298 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21mA | 1.4V | |||
| Jantx1n5297ur-1 | 40.6200 | | 1760 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | |||
| Jantxv1n5312-1 | 36.4050 | | 4629 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5312 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
| 1N5310-1 | 18.6000 | | 3207 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5310 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | |||
| 1N5297-1/TR | 21.8400 | | 5731 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5297 | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5297-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | ||
| Jantx1n5308-1/tr | 34.1550 | | 2052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5308 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5308-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | ||
| Jan1N5310-1/TR | 27.1650 | | 1693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5310 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5310-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | ||
| Jantx1n5292-1 | 33.9900 | | 9750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5292 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | ||
| 1N5294/TR | 18.7950 | | 9031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5294 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5294/TR | 100 | 100V | 825 µA | 1.2V | |||||
| Janhca1n5304 | - | | 4067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5304 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
| Jantx1n5290-1 | - | | 5653 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | ||
| Jan1N5284-1 | 31.5150 | | 9116 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5284 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264 µA | 1V | ||
 | Jantx1n5310-1 | - | | 5989 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5310 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | |||
 | CMJ0500 TR PBFREE | 6.2800 | | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJ0500 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100V | 630 µA | 1.1V | ||
| CMJH120 TR PBFREE | 6.5000 | | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJH120 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50V | 14.4MA | 3.8V | ||
| CMJH150 TR PBFREE | 6.5000 | | 12 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJH150 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50V | 18 MA | 4.3V | ||
| Jantxv1n5288ur-1 | 40.2450 | | 7989 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5288 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | |||
| 1N7048ur-1 | 9.3000 | | 7481 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N7048 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||
| 1N5284ur-1 | 21.8250 | | 8181 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264 µA | 1V | |||
| 1N5287ur-1 | 22.0350 | | 2874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5287 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | |||
| 1N5301-1 | 18.6000 | | 9237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5301 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
| 1N5304UR-1 | 21.8250 | | 8907 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5304 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
| 1N5306-1 | 18.7800 | | 3238 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5306 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V |
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