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Regulacia Real: Diodos, Transistores (1067)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n5295-1 | 99.8700 |  | 7856 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5295 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | |||
 | 1N5292ur-1 | 24.8100 | | 1680 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||
 | SST507 SOT-23 3L ROHS | 7.7200 | | 5 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | SST500 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST507 | 350MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 50V | 2.16MA | 2.8V | ||
| Jantx1n5289ur-1 | 38.2650 | | 2487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | ||
| 1N5293 | 18.6000 | | 4206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5293 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5293 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | |||||
| 1N5308UR-1/TR | 22.0050 | | 9539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5308UR-1/TR | 100 | 100V | 2.97MA | 2.15V | |||||
 | Jantx1n5311ur-1 | 27.4700 | | 100 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
| Jantxv1n5298ur-1/tr | 40.4100 | | 2744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5298 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5298ur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21mA | 1.4V | ||
 | CDS5297UR-1/TR | - | | 6257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS52 | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds5297ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| CDLL251/TR | 28.5000 | | 6317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL251/TR | 100 | 80V | 6.16MA | 4.03V | |||||
 | CMJH080 TR PBFREE | 6.5000 | | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJH080 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50V | 9.84MA | 3.1V | ||
| 1N5291-1/TR | 21.8400 | | 8232 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5291 | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5291-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | ||
| CDLL5310 | 25.0950 | | 1686 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | |||
| Jan1N5306ur-1/TR | 36.8400 | | 1525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5306ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V | ||
 | CL40M35-AQ | 0.1902 | | 8005 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Cargador de Batería, controlador de control | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CL40 | 1W | DO-214AC (SMA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 8541.10.0000 | 7,500 | 90V | 46MA | 3V | |||
| Jan1n5311ur-1/TR | 30.4650 | | 4112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5311UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
| Jantxv1n5285ur-1 | 40.2450 | | 5026 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | ||
| CDLL254/TR | 28.5000 | | 4132 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL254/TR | 100 | 60V | 8.25 Ma | 5.4V | |||||
| Jan1N5295-1/TR | 31.6650 | | 6316 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5295 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5295-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | ||
| Jantx1n5300-1 | 34.3200 | | 5681 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5300 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | ||
| Jantxv1n5293ur-1 | 40.2450 | | 3525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | ||
| Jan1n5302ur-1 | 36.6900 | | 5768 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5302 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
 | J506 A 92 2L | 7.3300 | | 994 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | J500 | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | J506 | 350MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 1,000 | 1.1V | |||||
| 1N5301UR-1 | 21.8250 | | 9658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
| Jans1n5302ur-1/tr | 130.3050 | | 7414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5302ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
| CDLL252/TR | 28.5000 | | 4701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL252/TR | 100 | 70V | 6.82MA | 4.46V | |||||
| Jan1N5297-1/TR | 31.6650 | | 7031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5297 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5297-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | ||
| 1N5307UR-1/TR | 22.0050 | | 9736 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5307 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5307UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| CMJ4500 TR PBFREE | 6.2200 | | 7 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJ4500 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100V | 5.1mA | 3.7V | ||
 | CD5292 | 19.2450 | | 2027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CD529 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5292 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V |
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