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Diodos (3135)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SS5U50PAQ | 0.2230 |  | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | A 277 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS5U50PAQTR | EAR99 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 640 MV @ 5 A | 150 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
 | AZ23C6V8 | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23C6V8TR | EAR99 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 6.8 V | 8 ohmios | |||||||||||||
 | BZT52B47 | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 410 MW | SOD-123 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B47TR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 35 V | 47 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | BZT52C30SQ | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C30SQTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | GS1M | 0.0160 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (HSMA) | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS1MTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | MD100A16D1 | 18.1150 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD100A16D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1600 V | 100A | 1.4 V @ 300 A | 5 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | G1JS | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-G1JSTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | S520F | 0.0570 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-S520FTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | ES5C | 0.1050 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES5CTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | GR3MB | 0.0540 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr3mbtr | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | HS2JBF | 0.0600 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AA, placas SMB Platos | Estándar | SMBF | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-HS2JBFTR | EAR99 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
| GS2GAQ | 0.0450 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2GAQTR | EAR99 | 7,500 | ||||||||||||||||||||||
 | G1A | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-g1atr | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | MURL860 | 0.3610 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MURL860 | EAR99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
| MD70C16D1 | 17.0600 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD70C16D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 70a | 1.3 V @ 200 A | 5 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
| BZX84B13Q | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B13QTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| AZ23C6V2 | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23C6V2TR | EAR99 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| MMSZ5223BQ | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMSZ5223BQTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| GS2GA | 0.0310 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2GATR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
| SD103AW | 0.0150 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SD103AWTR | EAR99 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
| GS2BAQ | 0.0530 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2BAQTR | EAR99 | 7,500 | ||||||||||||||||||||||
| DZ23C39 | 0.0240 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DZ23C39TR | EAR99 | 3.000 | 1 par Cátodo Común | 39 V | 90 ohmios | |||||||||||||
| E1b | 0.0230 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-E1BTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| Bav20ws | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Estándar | Sod-323 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAV20WSTR | EAR99 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
| BZT52B30SQ | 0.0280 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B30SQTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | D3ub80 | 0.1350 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-D3ub80 | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | MUR4100 | 0.1100 | | 250 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MOR4100TB | EAR99 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.85 v @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| MD60K16D1 | 16.4580 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD60K16D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1600 V | 60A | 1.45 V @ 200 A | 5 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
| AZ23B16 | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23B16TR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| GS1KQ | 0.0370 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS1KQTR | EAR99 | 7,500 |
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