SIC
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Diodos (155)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
GSXD050A018S1-D3 SemiQ GSXD050A018S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 50A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A008S1-D3 SemiQ GSXD080A008S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 80A 840 MV @ 80 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U 25.3893
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D060 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 30A 1.7 V @ 30 A 0 ns 60 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF030A120S1-D3 SemiQ GSXF030A120S1-D3 -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF030 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GSXF030A120S1D3 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 30A 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF120A100S1-D3 SemiQ GSXF120A100S1-D3 39.6525
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 120a 2.35 V @ 120 A 135 ns 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 30A (DC) 1.65 v @ 10 a 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD160A012S1-D3 SemiQ GSXD160A012S1-D3 -
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 160A 880 MV @ 160 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A015S1-D3 SemiQ GSXD120A015S1-D3 -
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 120a 880 MV @ 120 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1042-5 EAR99 8541.10.0080 75 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 6 a 0 ns 60 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 316pf @ 1v, 1 MHz
GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U 6.2290
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D024 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 12A 1.5 V @ 12 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B 4.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D012 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D012A065B EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.5 V @ 12 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 572pf @ 1V, 1 MHz
GSXF060A120S1-D3 SemiQ GSXF060A120S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 60A 2.35 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF030A020S1-D3 SemiQ GSXF030A020S1-D3 27.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF030 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 30A 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U 7.0947
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D040 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D040A065U EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40A 835pf @ 1V, 1 MHz
GP3D010A120U SemiQ GP3D010A120U -
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D010 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3 88.5000
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS045 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 45a 1.7 V @ 45 A 300 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D024A065U SemiQ GP2D024A065U -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 Semiq - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 36A (DC) 1.65 v @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF060A100S1-D3 SemiQ GSXF060A100S1-D3 33.9986
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 60A 2.35 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3 37.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 20A 1.7 V @ 20 A 200 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto Monte del Chasis Add-a-pak (3) GSXD300 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1700 V 1.9 V @ 300 A 540 ns -40 ° C ~ 150 ° C 300A -
GSXD050A006S1-D3 SemiQ GSXD050A006S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 50A 750 MV @ 50 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D020A120U SemiQ GP2D020A120U -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 33A (DC) 1.8 V @ 10 A 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D005A170B SemiQ GP2D005A170B -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1038-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.75 v @ 5 a 0 ns 10 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 406pf @ 1v, 1 MHz
GSXD050A020S1-D3 SemiQ GSXD050A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 50A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A006S1-D3 SemiQ GSXD060A006S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A015S1-D3 SemiQ GSXD080A015S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 80A 880 MV @ 80 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF060A020S1-D3 SemiQ GSXF060A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 60A 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF100A060S1-D3 SemiQ GSXF100A060S1-D3 -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF100 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 100A 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D030A120U SemiQ GP2D030A120U -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1233-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 50A (DC) 1.8 V @ 15 A 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D060A120U SemiQ GP2D060A120U -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 94a (DC) 1.8 V @ 30 A 500 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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