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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBRTA50045 GeneSiC Semiconductor MBRTA50045 -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A12 46.9860
RFQ
 ECAD 3031 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Mur2x060 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 60A 2.35 V @ 60 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
KBPC5006T GeneSiC Semiconductor KBPC5006T 2.5875
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC5006 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
MBRT50035 GeneSiC Semiconductor MBRT50035 -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50035GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR16JR05GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GKN240/18 GeneSiC Semiconductor GKN240/18 73.7088
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento GKN240 Estándar DO-205AB (DO-9) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT200 Estándar Tres Torre descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRT200100D EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1000 V 200a 1.2 v @ 200 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN26/16 GeneSiC Semiconductor GKN26/16 -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT20045GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FST10030GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 100A 650 MV @ 100 A 2 Ma @ 20 V
1N5829 GeneSiC Semiconductor 1N5829 14.0145
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N5829 Schottky Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N5829GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 580 MV @ 25 A 2 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR2X160A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A080 59.6700
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X160 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 160A 840 MV @ 160 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT60030 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60030RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR30M05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBR30030CT GeneSiC Semiconductor MBR30030CT 94.5030
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30030 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR30030CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60060CT GeneSiC Semiconductor MBR60060CT 129.3585
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -50 ° C ~ 150 ° C
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor MBR50045CT -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1018 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60035L GeneSiC Semiconductor MBRT60035L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 300A 600 MV @ 300 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70J02 GeneSiC Semiconductor FR70J02 17.5905
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR70J02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 70 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR16B05 GeneSiC Semiconductor FR16B05 8.1330
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr16b05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 v @ 16 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FST16060 GeneSiC Semiconductor FST16060 75.1110
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FST16060GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 160A (DC) 800 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR40005CTGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X100 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRT40020RL GeneSiC Semiconductor MBRT40020RL -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor MBR20030CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR20030 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1008 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 200a (DC) 650 MV @ 100 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1N1183R 6.2320
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1183R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N1183RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MURF10005 GeneSiC Semiconductor MURF10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) MURF10005GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60100 GeneSiC Semiconductor MBR60100 20.2695
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR60100 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60100GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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