SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
S320MR GeneSiC Semiconductor S320MR 62.2080
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S320 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S320mrgn EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
S320QR GeneSiC Semiconductor S320QR 62.2080
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S320 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S320QRGN EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
S40MR GeneSiC Semiconductor S40MR 8.3250
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S40M Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40mrgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
S6M GeneSiC Semiconductor S6M 3.8625
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S6mgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
S70Y GeneSiC Semiconductor S70y 10.2225
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S70ygn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 70a -
W06M GeneSiC Semiconductor W06M -
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wom Estándar Wom descascar 1 (ilimitado) W06mgn EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
W10M GeneSiC Semiconductor W10M -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wom Estándar Wom descascar 1 (ilimitado) W10MGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
GBL10 GeneSiC Semiconductor GBL10 0.4230
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) GBL10GN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBPC1504T GeneSiC Semiconductor GBPC1504T 2.4180
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1504 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBPC1506T GeneSiC Semiconductor GBPC1506T 2.4180
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1506 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBPC35005T GeneSiC Semiconductor GBPC35005T 2.8650
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC35005 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3501 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 A Fase única 100 V
GBPC5010T GeneSiC Semiconductor GBPC5010T 4.0155
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5010 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5001 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
GBPC5002T GeneSiC Semiconductor GBPC5002T 4.0155
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5002 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 200 V 50 A Fase única 200 V
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5006 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
GBU10B GeneSiC Semiconductor Gbu10b 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU10 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu10bgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 A Fase única 100 V
GBU15G GeneSiC Semiconductor Gbu15g 0.6120
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu15ggn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBU15K GeneSiC Semiconductor GBU15K 0.6120
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu15kgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
GBU4K GeneSiC Semiconductor Gbu4k 0.4725
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu4kgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
GBU4M GeneSiC Semiconductor Gbu4m 0.4725
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu4mgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU6J GeneSiC Semiconductor Gbu6j 1.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
GBU8A GeneSiC Semiconductor Gbu8a 0.5685
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu8agn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 50 V 8 A Fase única 50 V
GBU8B GeneSiC Semiconductor GBU8B 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
GBU8G GeneSiC Semiconductor Gbu8g 1.5700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 400 V 8 A Fase única 400 V
GBU8J GeneSiC Semiconductor Gbu8j 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
GBU8M GeneSiC Semiconductor Gbu8m 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu8mgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento GKR240 Estándar DO-205AB (DO-9) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 60 A 60 mA @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
GKR26/14 GeneSiC Semiconductor GKR26/14 -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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