SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
MBRH24080R GeneSiC Semiconductor MBRH24080R 76.4925
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH24080 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 240 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60035R GeneSiC Semiconductor MBRTA60035R -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60035RL -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 300A 600 MV @ 300 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60040R GeneSiC Semiconductor MBRTA60040R -
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 400A 840 MV @ 400 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80030RL -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 400A 580 MV @ 400 A 3 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 100 ° C
MBRTA80045L GeneSiC Semiconductor MBRTA80045L -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 400A 600 MV @ 400 A 6 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80080R GeneSiC Semiconductor MBRTA80080R -
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 400A 840 MV @ 400 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF40010R GeneSiC Semiconductor MURF40010R -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 200a 1 v @ 200 a 150 ns 25 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF40040R GeneSiC Semiconductor MURF40040R -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 200a 1.3 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7060R GeneSiC Semiconductor Murh7060r 49.5120
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Murh7060 Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 70 A 110 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
UFT7340M GeneSiC Semiconductor Uft7340m -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Estándar D61-3M - 1 (ilimitado) Q11259022 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 70a 1.3 V @ 35 A 75 ns 20 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GC15MPS12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1334 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 75a 1089pf @ 1V, 1 MHz
GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 -
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 GC20MPS12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1336 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 94A 1298pf @ 1V, 1 MHz
MBRF30080 GeneSiC Semiconductor MBRF30080 -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3008 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 150a 840 MV @ 150 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD10MPS12A EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 25A 367pf @ 1V, 1 MHz
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H 4.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD10MPS12H EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 0 ns 175 ° C 10A -
GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N 47.9100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Gd2x Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD2X100MPS06N EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 108a (DC) 1.8 V @ 100 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H 8.1700
RFQ
 ECAD 7530 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD10MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 26A 721pf @ 1v, 1 MHz
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J 10.9900
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-7 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD30MPS12J EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 0 ns 175 ° C 30A -
GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E 1.5400
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 2 A 0 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 73pf @ 1V, 1 MHz
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD25MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.8 V @ 25 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 56a 1083pf @ 1V, 1 MHz
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20080D 110.1030
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 Semiconductor genesico * Una granela Activo MSRT200 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40
GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227 -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Descontinuado en sic Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GC2X100 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1349 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 209A (DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227 98.1200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GB2X50 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1350 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1700 V 136a (DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 50 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227 54.0960
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GC2X50 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1348 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 104a (DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X10MPS06D -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 GE2X10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-ge2x10mps06d EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 23a (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N 33.8900
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Gd2x Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD2X30MPS12N EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 52a (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
RFQ
 ECAD 733 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA GD30MPS06 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-7 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD30MPS06J EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 51a 735pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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