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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MURT30020R GeneSiC Semiconductor MURT30020R 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30020 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT30040R GeneSiC Semiconductor MURT30040R 98.7424
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30040 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30040RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 150a 1.35 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT30060R GeneSiC Semiconductor MURT30060R 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30060 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 150a 1.7 V @ 150 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40010R GeneSiC Semiconductor MURT40010R 132.0780
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT40010 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT40010RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR12K05 GeneSiC Semiconductor FR12K05 6.9975
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR12K05GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 800 MV @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
FR12KR05 GeneSiC Semiconductor FR12KR05 7.0500
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr12kr05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 800 MV @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20D02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR20DR02 GeneSiC Semiconductor FR20DR02 9.3555
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20DR02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20J02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR30AR02 GeneSiC Semiconductor FR30ar02 10.5930
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr30ar02gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
FR40JR02 GeneSiC Semiconductor FR40JR02 13.8360
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40JR02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
FR40K05 GeneSiC Semiconductor FR40K05 12.8985
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40K05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
FR40KR05 GeneSiC Semiconductor FR40KR05 17.1300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
FR6BR02 GeneSiC Semiconductor FR6BR02 5.1225
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR6BR02GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR70D02 GeneSiC Semiconductor FR70D02 17.5905
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR70D02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR85B05 GeneSiC Semiconductor FR85B05 23.1210
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85b05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
FR85J05 GeneSiC Semiconductor FR85J05 23.1210
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85J05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
FR85KR05 GeneSiC Semiconductor FR85KR05 24.1260
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85kr05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbl04gn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor GBPC15005T 2.4180
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC15005 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1501 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
MBR40060CTR GeneSiC Semiconductor MBR40060CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 7044 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 200a 800 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor MBR40080CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40080 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40080CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 200a 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor MBR500100CTR -
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky, Polaridad Inversa Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR500100CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 250a 880 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor MBR60060CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6045 GeneSiC Semiconductor MBR6045 20.2695
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR6045 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR6045GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 650 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7560GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 75 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR8020GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 80A -
MBRH12060 GeneSiC Semiconductor MBRH12060 60.0375
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH12060GN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 120 A 4 Ma @ 20 V 120a -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT200100 Schottky, Polaridad Inversa Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT200100RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 100A 880 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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