SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
1N4592 GeneSiC Semiconductor 1N4592 35.5695
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N4592 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N4592GN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 150 A 6.5 Ma @ 600 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBR40035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTRL -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT20020R GeneSiC Semiconductor MURT20020R 104.4930
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT20020 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT20020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30020R GeneSiC Semiconductor MBRT30020R 107.3070
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30020 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT30020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR50060CT GeneSiC Semiconductor MBR50060CT -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR50060CTGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 250a 800 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60080R GeneSiC Semiconductor MBRTA60080R -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 300A 840 MV @ 300 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150kr100a 35.5695
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 150kr100agn EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.33 V @ 150 A 24 Ma @ 1000 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRF30030 GeneSiC Semiconductor MBRF30030 -
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3003 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT30080GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 150a 880 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60045CTR GeneSiC Semiconductor MBR60045CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60045 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Schottky Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR3545GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 680 MV @ 35 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRH12030R GeneSiC Semiconductor MBRH12030R 60.0375
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH12030 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH12030RGN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 650 MV @ 120 A 4 Ma @ 20 V 120a -
MURT30005 GeneSiC Semiconductor MURT30005 -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30005GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) GBL01GN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF20005R GeneSiC Semiconductor MURF20005R -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) MURF20005RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 50 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S40V Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40vrgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 160 ° C 40A -
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1007 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N6096R Schottky, Polaridad Inversa Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N6096RGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 580 MV @ 25 A 2 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR300200 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 150a 920 MV @ 150 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTRL -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30020 GeneSiC Semiconductor MBRT30020 107.3070
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT30020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN71/16 GeneSiC Semiconductor GKN71/16 12.7059
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental GKN71 Estándar Do-5 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.5 V @ 60 A 10 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 95a -
MBRF12030R GeneSiC Semiconductor MBRF12030R -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 60A 700 MV @ 60 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor GKN130/14 35.2952
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKN130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 10.4235
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero To-247-2 GB10MPS17 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1343 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 12 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 669pf @ 1V, 1 MHz
MBRF500200R GeneSiC Semiconductor MBRF500200R -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 250a 920 MV @ 250 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM -
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3SM Schottky D61-3SM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fst8330smgn EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 80a (DC) 650 MV @ 80 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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