SIC
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Diodos (2089)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBRT50020 GeneSiC Semiconductor MBRT50020 -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50020GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
UFT14040 GeneSiC Semiconductor UFT14040 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis To-249ab Estándar To-249ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 70a 1.3 V @ 70 A 85 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20030R GeneSiC Semiconductor MBRF20030R -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 100A 700 MV @ 100 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1187R GeneSiC Semiconductor 1N1187R 7.4730
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1187R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N1187RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBRH12080R GeneSiC Semiconductor MBRH12080R 60.0375
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH12080 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH12080RGN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 120 A 4 Ma @ 20 V 120a -
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 300A 840 MV @ 300 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor MUR10020CTR 75.1110
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR10020 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR10020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40040CT GeneSiC Semiconductor MBR40040CT 98.8155
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1037 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 200a 650 MV @ 100 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA500140A GeneSiC Semiconductor MSRTA500140A 101.4000
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA500140 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1400 V 500A (DC) 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT10010R GeneSiC Semiconductor MURT10010R -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT10010RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC5008 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 800 V 50 A Fase única 800 V
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor MBR600150CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR600150 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 300A 880 MV @ 300 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
RFQ
 ECAD 1926 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR40MR05 GeneSiC Semiconductor FR40MR05 17.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN GB02SHT01 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY A-46 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1254 EAR99 8541.10.0080 200 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 100 V 1.6 v @ 1 a 0 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 210 ° C 4A 76pf @ 1v, 1 MHz
MBRT20020 GeneSiC Semiconductor MBRT20020 98.8155
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT20020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH200200R GeneSiC Semiconductor MBRH200200R 70.0545
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH200200 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 200 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MBRF50040R GeneSiC Semiconductor MBRF50040R -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT20040 Schottky, Polaridad Inversa Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1082 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA600200R GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 300A 920 MV @ 300 A 4 Ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR30040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT120100R GeneSiC Semiconductor MBRT120100R 75.1110
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT120100 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT120100RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 60A 880 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2505R GeneSiC Semiconductor MUR2505R 10.1910
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Mur2505 Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR2505RGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MURTA200120R GeneSiC Semiconductor MURTA200120R 145.3229
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURTA200120 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1200 V 100A 2.6 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT40060 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT40060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 200a 800 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30045R GeneSiC Semiconductor MBRF30045R -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3004 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24080 GeneSiC Semiconductor MBRH24080 76.4925
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 240 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
FR6G02 GeneSiC Semiconductor FR6G02 4.9020
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr6g02gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT600200 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 300A 920 MV @ 300 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220 4.2323
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1325 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 29a 359pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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