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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC5008W | 4.0155 | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC5008 | Estándar | GBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | ||||||||
GKN130/18 | 35.5490 | ![]() | 9985 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | GKN130 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 1.5 V @ 60 A | 22 Ma @ 1800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 165a | - | ||||||||
![]() | KBP204G | 0.2280 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | KBP204 | Estándar | KBP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | KBP204GGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | |||||||
![]() | KBP210G | 0.2280 | ![]() | 2792 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | KBP210 | Estándar | KBP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
![]() | KBPC2504W | 2.2995 | ![]() | 3961 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-W | KBPC2504 | Estándar | KBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | ||||||||
![]() | KBPC2510W | 2.2995 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-W | KBPC2510 | Estándar | KBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
![]() | KBPC35005W | 2.4720 | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-W | KBPC35005 | Estándar | KBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||
KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC3510 | Estándar | KBPC-T | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | |||||||||
![]() | KBPC5010W | 2.5875 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-W | KBPC5010 | Estándar | KBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 5 µA @ 1000 V | 50 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
![]() | MBR120150CT | - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR200200 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 3 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X050 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 50A | 920 MV @ 50 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR2X080A150 | 48.6255 | ![]() | 8545 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X080 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 150 V | 80A | 880 MV @ 80 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR2X120A180 | 51.8535 | ![]() | 7514 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X120 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 120a | 920 MV @ 120 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR2X160A150 | 59.6700 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X160 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 150 V | 160A | 880 MV @ 160 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR30030CTRL | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 30 V | 150a | 580 MV @ 150 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR400200 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 200a | 920 MV @ 200 A | 3 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR60045CTL | - | ![]() | 3019 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 300A | 600 MV @ 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBR60045CTRL | - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 45 V | 300A | 600 MV @ 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRH20030RL | - | ![]() | 8472 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 | Schottky, Polaridad Inversa | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200a | - | |||||||||
![]() | MBRT200150 | 98.8155 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 100A | 880 MV @ 100 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT200200 | 98.8155 | ![]() | 2839 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT30045L | - | ![]() | 9877 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 150a | 600 MV @ 150 A | 3 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 200a | 600 MV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRT40035RL | - | ![]() | 3676 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 200a | 600 MV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRT40040RL | - | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 40 V | 200a | 600 MV @ 200 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRT500200 | - | ![]() | 5882 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT600150 | 140.2020 | ![]() | 7951 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 20 V | 300A | 580 MV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
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