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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURT10010R | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MURT10010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 100 V | 50A | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | KBPC5008W | 2.5875 | ![]() | 5375 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-W | KBPC5008 | Estándar | KBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 5 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||
![]() | MBR600150CT | 129.3585 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR600150 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 3 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | FST6335M | - | ![]() | 1926 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 30A | 700 MV @ 30 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
FR40MR05 | 17.1300 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 40 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | |||||||||
GB02SHT01-46 | 44.6700 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | GB02SHT01 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | A-46 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1254 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 100 V | 1.6 v @ 1 a | 0 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 210 ° C | 4A | 76pf @ 1v, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRT20020 | 98.8155 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBRT20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 100A | 750 MV @ 100 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRH200200R | 70.0545 | ![]() | 3613 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-67 | MBRH200200 | Schottky, Polaridad Inversa | D-67 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 200 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200a | - | ||||||||
![]() | MBRF50040R | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MBRT20040 | Schottky, Polaridad Inversa | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1082 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 40 V | 100A | 750 MV @ 100 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRTA600200R | - | ![]() | 7016 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 300A | 920 MV @ 300 A | 4 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR30040CTR | 94.5030 | ![]() | 5808 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Torre Gemela | MBR30040 | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBR30040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 40 V | 150a | 650 MV @ 150 A | 8 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT120100R | 75.1110 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MBRT120100 | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBRT120100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 100 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MUR2505R | 10.1910 | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Mur2505 | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MUR2505RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||
![]() | MURTA200120R | 145.3229 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MURTA200120 | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1200 V | 100A | 2.6 V @ 100 A | 25 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT40060R | 118.4160 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MBRT40060 | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBRT40060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 60 V | 200a | 800 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRF30045R | - | ![]() | 7219 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | MBRF3004 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 45 V | 150a | 700 MV @ 150 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRH24080 | 76.4925 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-67 | Schottky | D-67 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 840 MV @ 240 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 240a | - | |||||||||
![]() | FR6G02 | 4.9020 | ![]() | 2412 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Fr6g02gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 v @ 6 a | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||
![]() | MBRT600200R | 140.2020 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MBRT600200 | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 300A | 920 MV @ 300 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | GC05MPS12-220 | 4.2323 | ![]() | 2971 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1325 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 4 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 29a | 359pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRH30020RL | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 | Schottky | D-67 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 580 MV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 300A | - | ||||||||||
![]() | MBRH120150R | 60.0375 | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-67 | MBRH120150 | Schottky | D-67 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 880 MV @ 120 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 120a | - | ||||||||
![]() | Murta60060 | 188.1435 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Murta60060gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 300A | 1.7 V @ 300 A | 280 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | FR12MR05 | 7.0500 | ![]() | 1218 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Fr12mr05gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 v @ 12 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||
![]() | S25BR | 5.2485 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | S25B | Polaridad Inversa Estándar | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | S25BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||
![]() | MBR2X050A045 | 43.6545 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X050 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 50A | 700 MV @ 50 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MURT30010 | 118.4160 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MURT30010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 150a | 1.3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | FST16040L | - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | To-249ab | Schottky | To-249ab | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 80A | 600 MV @ 80 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | FST16020 | 75.1110 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | To-249ab | Schottky | To-249ab | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | FST16020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 160A (DC) | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
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