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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR2X120A060 | 51.8535 | ![]() | 3104 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X120 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 60 V | 120a | 750 MV @ 120 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MURT10020 | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Estándar | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MURT10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 50A | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | 1N3295ar | 33.5805 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3295ar | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N3295Argn | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.5 V @ 100 A | 11 Ma @ 1000 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | |||||||
KBPC3501T | 2.4720 | ![]() | 9697 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC3501 | Estándar | KBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 A | Fase única | 100 V | ||||||||||
FR85GR02 | 24.1260 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1010 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||
![]() | FR12JR02 | 9.2235 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 800 MV @ 12 A | 250 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | MBRF40030 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 200a | 700 MV @ 200 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | S320M | 63.8625 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AB, DO-9, Semento | S320 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | S320MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 600 V | -60 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | |||||||
![]() | FST6360M | - | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 30A | 750 MV @ 30 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | FR16M05 | 8.3160 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Fr16m05gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||
![]() | MSRT250100A | 54.2296 | ![]() | 8363 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | MSRT250100 | Estándar | Tres Torre | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1000 V | 250a (DC) | 1.2 V @ 250 A | 15 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRTA80020 | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 400A | 720 MV @ 400 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | GKN240/16 | 73.3638 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AB, DO-9, Semento | GKN240 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.4 V @ 60 A | 60 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | ||||||||
![]() | 1N3291ar | 33.5805 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3291ar | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N3291argn | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 100 A | 24 Ma @ 400 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | |||||||
![]() | MBRTA50030 | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 250a | 700 MV @ 250 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N3209 | 7.0650 | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3209 | Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N3209GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||
![]() | MBRT60060 | 140.2020 | ![]() | 9162 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Tres Torre | Schottky | Tres Torre | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBRT60060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 300A | 800 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR50035CTR | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MBR50035CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 35 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRF600100R | - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 100 V | 250a | 840 MV @ 250 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
1N3671ar | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3671ar | Polaridad Inversa Estándar | Do-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1036 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | MURF30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Estándar | To-244 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 150a | 1 V @ 150 A | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | FR30B02 | 10.4070 | ![]() | 1814 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | FR30B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - | |||||||
![]() | S25Q | 5.2485 | ![]() | 1118 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | S25QGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | MBR30040CTL | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Torre Gemela | Schottky | Torre Gemela | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 150a | 600 MV @ 150 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Mur2x030a06 | - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Estándar | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1306 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 30A | 1.5 V @ 30 A | 60 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||
![]() | FR85GR05 | 24.1260 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | FR85GR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | |||||||
![]() | 1N3297ar | 33.8130 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3297ar | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1N3297ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.5 V @ 100 A | 7 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | |||||||
![]() | MBRF60060 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 300A | 800 MV @ 250 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | FST8360M | - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D61-3M | Schottky | D61-3M | descascar | 1 (ilimitado) | FST8360MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 80a (DC) | 750 MV @ 80 A | 1.5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MUR7020R | 17.7855 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | MUR7020 | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | MUR7020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 70a | - |
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