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Diodos (1803)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AIDK08S65C5ATMA1 | 5.9900 |  | 195 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolSic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Aidk08 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-AIDK08S65C5ATMA1CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | 248pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
 | AIDK12S65C5ATMA1 | 6.5400 | | 980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolSic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Aidk12 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 12A | 363pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
 | DD250S65K3C1NPSA1 | 210.0000 | | 5021 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD250S65 | Estándar | A-IHV130-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 6500 V | 250a (DC) | 3.5 V @ 250 A | 370 mA @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||
 | 56DN06B02ELEMXPSA1 | 383.9800 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Apretar | Do-200ab, B-PUK | 56DN06 | Estándar | E-eupec-0 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 940 MV @ 8000 A | 60 mA @ 600 V | 180 ° C (Max) | 11140A | - | ||||||||||||||
 | 65DN06B02ELEMXPSA1 | 616.8400 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Apretar | DO-200AC, K-PUK | 65DN06 | Estándar | BG-D-ELEM-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 890 MV @ 8000 A | 100 mA @ 600 V | 180 ° C (Max) | 15130A | - | ||||||||||||||
 | DD89N14KHPSA2 | 112.9860 | | 4384 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 448-DD89N14KHPSA2 | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1400 V | 89A | 1.5 V @ 300 A | 20 Ma @ 1.4 kV | 150 ° C | ||||||||||||||||
| DD89N16KHPSA2 | 109.0080 | | 9011 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 89A | 1.5 V @ 300 A | 20 Ma @ 1.6 kV | 150 ° C | |||||||||||||||||
| DD700N22KXPSA1 | 342.0400 | | 2387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | - | BG-PB60E2A-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 448-DD700N22KXPSA1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 2200 V | 700A | 1.36 V @ 2200 A | 40 mA @ 2.2 kV | 150 ° C | ||||||||||||||||
| Bar63-02l um | - | | 9172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | 2156-bar63-02lum | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DD171N16KAHPSA1 | 160.0375 | | 7467 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | DD171N16 | - | ROHS3 Cumplante | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC14D60C8X1SA3 | - | | 6634 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D60 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | ||||||||||||||
| SIDC05D60C8X1SA1 | - | | 8948 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC05 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||
| SIDC23D60E6X1SA1 | - | | 5990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC23D | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||||||
| SIDC08D60C8X1SA3 | - | | 8885 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC08 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||
| SIDC09D60F6X1SA1 | - | | 2850 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC09D60 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||
| SIDC14D60C8X7SA1 | - | | 7634 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D60 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 50A | - | ||||||||||||||
 | IDWD20G120C5XKSA1 | 13.9200 | | 786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | IDWD20 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 166 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 62a | 1368pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||
 | BAS70-02LE6327 | 1.0000 | | 8183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sod-882 | Schottky | PG-TSLP-2-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C | 70 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | BAV 70S H6327 | - | | 1796 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV 70 | Estándar | PG-SOT363-6 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 par Cátodo Común | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||
| SIDC14D120H6X1SA1 | - | | 4194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D120 | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.6 V @ 25 A | 27 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||||||||
| SIDC14D60E6X1SA3 | - | | 6243 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D60 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||||
| IDP45E60XKSA2 | - | | 2304 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | IPD45 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BB 565 E7908 | - | | 9221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-80 | BB 565 | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.2pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 11 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
 | IDK02G65C5XTMA1 | - | | 5793 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDK02G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.8 V @ 2 A | 0 ns | 330 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 70pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | D721S35TXPSA1 | - | | 4080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | DO-200AC, K-PUK | D721S35 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3500 V | 3.5 V @ 2500 A | 140 mA @ 3500 V | 125 ° C | 1080a | - | |||||||||||||||
| D251N18BXPSA1 | - | | 7826 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D251N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 30 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | ||||||||||||||||
 | Bar9002lse6327xtsa1 | - | | 2473 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Métrica) | Bar9002 | PG-TSSLP-2-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 mA | 150 MW | 0.35pf @ 1V, 1 MHz | PIN - Single | 80V | 800mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||||
 | Bar6306we6327htsa1 | - | | 7994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bar6306 | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 250 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | Pin - 1 Par Ánodo Común | 50V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||
 | Ddb6u205n16lhosa1 | 215.5600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u205 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | - | 3 Independientes | 1600 V | - | 1.47 v @ 200 a | 10 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
| IDP2302XUMA1 | - | | 4224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | IDP2302 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001368358 | 0000.00.0000 | 2.500 |
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