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Diodos (1803)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRD3CH53DF6 | - |  | 1924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IRD3CH53 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001544384 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | DD260N18KKHPSA1 | - | | 2067 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1800 V | 260a | 1.32 V @ 800 A | 30 mA @ 1800 V | 150 ° C | |||||||||||||
 | DD171N12KAHPSA1 | - | | 9803 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Dd171n | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | DD171N12 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 Ma @ 1200 V | 150 ° C | |||||||||||
 | D251N14BXPSA1 | - | | 7898 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D251N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 30 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | |||||||||||||
 | IDW50E60FKSA1 | 3.0800 | | 2845 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW50E60 | Estándar | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 50 A | 115 ns | 40 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 80A | - | ||||||||||
 | DZ435N40KHPSA1 | 388.6200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DZ435N40 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4000 V | 1.71 V @ 1200 A | 50 mA @ 4000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 700A | - | |||||||||||
| GLPB3460G1K1457XPSA1 | 20.8400 | | 7737 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | - | GLPB3460 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | BAS 16-02V E6327 | - | | 8529 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAS 16 | Estándar | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
 | BAW79DE6327HTSA1 | - | | 1109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-243AA | Baw79 | Estándar | PG-SOT89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 1A (DC) | 1.6 v @ 1 a | 1 µs | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
 | BAS7004SH6327XTSA1 | 0.6200 | | 4802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAS7004 | Schottky | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 2 Pares | 70 V | 70MA (DC) | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| DD400S33K2CB3NDSA1 | - | | 3285 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | A-IHV130-3 | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 3300 V | 400A (DC) | 3.5 V @ 400 A | 550 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||
| IDW32G65C5BXKSA1 | - | | 4053 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 16a (DC) | 1.7 V @ 16 A | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
| D56S45CS02PRXPSA1 | - | | 9347 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | Semental | D56S45C | Estándar | BG-DSW272-1 | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP000440848 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4500 V | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 Ma @ 4500 V | 125 ° C (Máximo) | 102a | - | ||||||||||
| BAS3005A02VH6327XTSA1 | 0.4500 | | 1085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAS3005 | Schottky | PG-SC79-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 500 Ma | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 15pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
 | BAS7006WE6327HTSA1 | - | | 4996 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAS7006 | Schottky | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 70 V | 70MA (DC) | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
 | BAS4004E6327HTSA1 | 0.4200 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS4004 | Schottky | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| SIDC08D120H8X1SA1 | - | | 8031 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | SIDC08 | Estándar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.41 V @ 45 A | 27 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | ||||||||||||||
| D251N16BXPSA1 | - | | 6082 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D251N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 30 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 255a | - | |||||||||||||
| IDC08S120EX1SA3 | - | | 7356 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | IDC08S120 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Aserrado en papel | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000599930 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 7.5 A | 0 ns | 180 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 380pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
| ND171N14KHPSA1 | - | | 8674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | ND171N14 | Estándar | BG-PB34-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 20 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 135 ° C | 104a | - | ||||||||||||
| SIDC02D60C8F1SA1 | - | | 8239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC02 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 v @ 6 a | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||
 | IDP08E65D2XKSA1 | 1.4500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDP08E65 | Estándar | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 2.3 v @ 3 a | 40 ns | 40 µA @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||
| BBY 66-02V E6327 | - | | 8940 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BBY 66 | PG-SC79-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 13.5pf @ 4.5V, 1MHz | Soltero | 12 V | 5.41 | C1/C4.5 | - | |||||||||||||
| SIDC56D60E6X1SA1 | - | | 3616 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | Sidc56d | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 150 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | |||||||||||
| BAV99SH6327XTSA1 | 0.5000 | | 9407 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Estándar | PG-SOT363-6-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 2 Pares | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| DD241S12KKHPSA1 | - | | 3331 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 mA @ 1200 V | 150 ° C | |||||||||||||
| SIDC07D60AF6X1SA1 | - | | 2149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC07D60 | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 22.5 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 22.5a | - | |||||||||||
 | D1230N14TXPSA1 | 138.1625 | | 3336 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Apretar | DO-200AA, A-PUK | D1230N14 | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.063 v @ 800 A | 50 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 1230A | - | |||||||||||
 | D850N34TXPSA1 | - | | 8714 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Do-200ab, B-PUK | D850N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3400 V | 1.28 V @ 850 A | 50 Ma @ 3400 V | -40 ° C ~ 160 ° C | 850A | - | ||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | 5.7400 | | 1732 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW10G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001633164 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz |
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