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Diodos (1803)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bar 63-02W E6127 | - |  | 2340 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | SC-80 | Barra 63 | SCD-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 16,000 | 100 mA | 250 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||
 | D1050N12TXPSA1 | - | | 5213 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Apretar | Do-200ab, B-PUK | D1050N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1 V @ 1000 A | 60 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 1050A | - | |||||||||||||||
| BB 659 E7902 | - | | 4531 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-80 | BB 659 | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.9pf @ 28V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 14.7 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
 | D270N36TXPSA1 | - | | 7908 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Apretar | Do-200ab, B-PUK | D270N36 | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3600 V | 1.36 V @ 250 A | 20 Ma @ 3600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 270a | - | |||||||||||||||
| RD4.7FS (0) -T1 -AY | - | | 2228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-RD4.7FS (0) -T1-AY | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54B5003 | 0.0200 | | 90 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BAT54-04E6327 | - | | 2834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C | |||||||||||||
 | IDDD20G65C6XTMA1 | 9.0500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Módulo de 10-PowerSop | IDDD20 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-HDSOP-10-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.700 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 0 ns | 67 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 51a | 970pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | IDH12G65C5XKSA1 | - | | 4396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | IDH12 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 12A | 360pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
| D56S45CXPSA1 | - | | 5345 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D56S45C | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4500 V | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 Ma @ 4500 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 102a | - | ||||||||||||||
| BAT64-06B5000 | 0.0300 | | 180 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C | |||||||||||||
| SDT08S60 | - | | 2814 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sdt08s | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 300 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 280pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
| SIDC81D120H6X1SA2 | - | | 1856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | Sidc78d | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.6 V @ 150 A | 27 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | - | | 9974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Idh03g65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 3 a | 0 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 100pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
 | D820N24TXPSA1 | - | | 9467 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | DO-200AA, A-PUK | D820N24 | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2400 V | 1.25 V @ 750 A | 40 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 820a | - | ||||||||||||||
| IRD3CH16DB6 | - | | 7438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | IRD3CH16 | Estándar | Objeto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001539714 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.7 V @ 25 A | 190 ns | 5 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | |||||||||||||
 | BAS 125-06W E6327 | - | | 4081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAS 125 | Schottky | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 25 V | 100 mA (DC) | 950 MV @ 35 Ma | 150 na @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
| BAT64-04B5003 | - | | 7220 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 120 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C | |||||||||||||
 | IDWD40G120C5XKSA1 | 24.3200 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | IDWD40 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 V @ 40 A | 0 ns | 332 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 110A | 2592pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | IDL12G65C5XUMA2 | 6.4300 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IDL12G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 360pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
| SIDC42D120F6X1SA3 | - | | 8529 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC42D | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.1 V @ 50 A | 27 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||||||
| SIDC81D60E6X1SA3 | - | | 1454 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | Sidc78d | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 200 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200a | - | ||||||||||||||
 | IDD08SG60CXTMA2 | 5.4400 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IDD08SG60 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 2.1 v @ 8 a | 0 ns | 70 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 240pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | DD260N12KKHPSA1 | - | | 3451 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 260a | 1.32 V @ 800 A | 30 Ma @ 1200 V | 150 ° C | ||||||||||||||||
 | BAV 99 B5003 | - | | 6262 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav 99 | Estándar | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
 | Dd261n22ktimhpsa1 | 238.3867 | | 2270 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD261N22 | Estándar | BG-PB50-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 2200 V | 260a | 1.42 V @ 800 A | 40 mA @ 2200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
| D121K20BXPSA1 | - | | 2638 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D121K | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 20 Ma @ 2000 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 210A | - | ||||||||||||||||
| D121N12BXPSA1 | - | | 2246 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | D121N | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 20 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 230A | - | ||||||||||||||||
| SIDC59D170HX1SA2 | - | | 5938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | Sidc59d | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1700 V | 1.8 V @ 100 A | 27 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||||||
| BAT6405E6327HTSA1 | 0.5200 | | 58 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, BAT64 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT6405 | Schottky | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) |
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