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Diodos (1803)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Resistencia @ if, f	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
SIDC06D60E6X1SA4	-	RFQ	6100	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Montaje en superficie	Morir	SIDC06D60	Estándar	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.25 V @ 10 A		27 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SIDC04D60F6X1SA4	-	RFQ	1378	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Montaje en superficie	Morir	SIDC04	Estándar	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.6 v @ 9 a		27 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	9A	-
BAS40-04E6327	-	RFQ	4220	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky	PG-SOT23-3-11	descascar				EAR99	8541.10.0070	2,100	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		Conexión de la Serie de 1 par	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma		1 µA @ 30 V	150 ° C
BAV70E6767	0.0200	RFQ	96	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Estándar		descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		1 par Cátodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C
Dd261n22ktimhpsa1	238.3867	RFQ	2270	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD261N22	Estándar	BG-PB50-1	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	2200 V	260a	1.42 V @ 800 A		40 mA @ 2200 V	150 ° C (Máximo)
AIDK10S65C5ATMA1	5.4200	RFQ	7703	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolSic ™	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Aidk10	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO263-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)			650 V		1.7 V @ 10 A	0 ns	60 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	303pf @ 1v, 1 MHz
IDK05G120C5XTMA1	5.4100	RFQ	603	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IDK05G120	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO263-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)			1200 V		1.8 V @ 5 A		33 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	19.1a	301pf @ 1v, 1 MHz
IDK08G120C5XTMA1	6.2300	RFQ	955	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IDK08G120	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO263-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)			1200 V		1.95 v @ 8 a		40 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	22.8a	365pf @ 1V, 1 MHz
IDK10G120C5XTMA1	7.1600	RFQ	5	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IDK10G120	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO263-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)			1200 V		1.8 V @ 10 A		18 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	31.9a	525pf @ 1V, 1 MHz
BAV74	0.0400	RFQ	58	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV74	Estándar	Sot-23-3	descascar	Rohs no conforme			EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		1 par Cátodo Común	50 V	200 MMA	1 V @ 100 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	150 ° C (Máximo)
IDP15E60	0.8600	RFQ	11	Infineon Technologies	IDP	Una granela	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar	PG-TO20-2	descascar				EAR99	8542.39.0001	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	29.2a	-
BBY55-03WE6327	0.1300	RFQ	5	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			PG-SOD323-2	descascar				EAR99	8541.10.0070	1											6.5pf @ 10V, 1 MHz	Soltero	16 V		2.5	C2/C10	-
BAS40	0.0700	RFQ	10	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky	SOT23-3 (TO-236)	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			40 V		1 V @ 40 Ma	5 ns	200 na @ 30 V	-50 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
DD350N12K-K	162.8600	RFQ	162	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Monte del Chasis	Módulo		Estándar	Módulo	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	1200 V	350A	1.28 V @ 1000 A		30 Ma @ 1200 V	150 ° C
IDH03SG60C	0.9600	RFQ	68	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Una granela	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO20-2-2	descascar				EAR99	8542.39.0001	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)			600 V		2.3 v @ 3 a	0 ns	15 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 1v, 1 MHz
BA592E6327	0.0700	RFQ	25	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323			PG-SOD323-2-1	descascar				EAR99	8541.10.0070	1		100 mA									1.1pf @ 3V, 1MHz	Estándar - Single	35V	500mohm @ 10 Ma, 100MHz
IDW60C65D1	-	RFQ	8705	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar	PG-TO247-3	descascar					0000.00.0000	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	650 V	60A (DC)	1.7 V @ 30 A	66 ns	40 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C
D3041N60TXPSA1	-	RFQ	4798	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		Monte del Chasis	Do-200ae	D3041N60	Estándar	-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			6000 V		1.7 V @ 4000 A		100 mA @ 6000 V	-40 ° C ~ 160 ° C	4090a	-
IDC75S120C5X7SA1	100.6560	RFQ	8688	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		-	-	IDC75	-	-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		0000.00.0000	1	-								-	-	-
DD170N36KHPSA1	207.5600	RFQ	8	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD170N36	Estándar	BG-PB34AT-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	8	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	3600 V	170A	1.82 V @ 600 A		25 mA @ 3600 V	150 ° C
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1	242.7250	RFQ	4903	Infineon Technologies	-	Banda	Activo				DDB2U60N12			-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	8
DZ3600S17K3B2NOSA1	1.0000	RFQ	2356	Infineon Technologies	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños		Monte del Chasis	Módulo	DZ3600	Estándar	A-IHM190-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3 Independientes	1700 V	-	2.2 V @ 3600 A		3050 A @ 900 V	-40 ° C ~ 125 ° C
BAV 99 B6327	-	RFQ	3938	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bav 99	Estándar	PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	30,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		Conexión de la Serie de 1 par	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
IDW30E60FKSA1	2.6900	RFQ	240	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	IDW30E60	Estándar	PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	240	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		2 V @ 30 A	143 ns	40 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	60A	-
DD600N18KHPSA2	377.3500	RFQ	4729	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD600N18	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	1800 V	600A	1.32 v @ 1800 a		40 mA @ 1800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
PX8143HDMG018XTMA1	-	RFQ	1501	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				PX8143HD			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Obsoleto		1
Px3746hdng008xtma1	-	RFQ	1998	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				PX3746HD			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Obsoleto		1
PX8895EDQGG005XUMA1	-	RFQ	7869	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				Px8895ed			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Obsoleto		1
Px8746hdng018xtma1	-	RFQ	5743	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				PX8746HD			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Obsoleto		1
Px8244hdmg018xtma1	-	RFQ	2739	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				PX8244HD			-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Obsoleto		1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1803)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²