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Diodos (1803)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Resistencia @ if, f	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
DD171N12KKHPSA2	191.5900	RFQ	7045	Infineon Technologies	Dd171n	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD171N12	Estándar	-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	8	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	171a	1.26 V @ 500 A		20 Ma @ 1200 V	150 ° C
D371S45TS02XPSA1	-	RFQ	3569	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto							-			Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1
D1301SH45TS09K02XPSA1	-	RFQ	2149	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto							-			Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1
RD4.7FS (0) -T1 -AY	-	RFQ	2228	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto							-				2156-RD4.7FS (0) -T1-AY			1
ND89N16KHPSA2	104.2340	RFQ	2081	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo		Estándar	-	-	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.30.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1600 V		1.5 V @ 300 A		20 Ma @ 1.6 kV	150 ° C	89A	-
DD104N18KHPSA2	124.7907	RFQ	4231	Infineon Technologies	DD104N	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante			448-DD104N18KHPSA2	EAR99	8541.30.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			Conexión de la Serie de 1 par	1800 V	104a	1.4 V @ 300 A		20 Ma @ 1.8 kV	150 ° C
ND89N12KXPSA1	110.0580	RFQ	6790	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo		Estándar	-	-	ROHS3 Cumplante			448-ND89N12KXPSA1	EAR99	8541.30.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1200 V		1.5 V @ 300 A		20 Ma @ 1.2 kV	150 ° C	89A	-
DD98N22KHPSA2	131.2867	RFQ	1910	Infineon Technologies	Dd98n	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante			448-DD98N22KHPSA2	EAR99	8541.30.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			Conexión de la Serie de 1 par	2200 V	98a	1.53 V @ 300 A		25 mA @ 2.2 kV	150 ° C
D170S25BS1XPSA1	-	RFQ	4514	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Montaje	Semental	D170S25	Estándar	BG-DSW271-1	-			Alcanzar sin afectado	SP000090297	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				2500 V		2.3 V @ 800 A	4 µs	5 Ma @ 2500 V	140 ° C (Máximo)	255a	-
D690S26TS01XPSA1	-	RFQ	8959	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	D690S26	Estándar	BG-D5726K-1	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001046358	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				2600 V		2.7 V @ 3000 A	9 µs	25 Ma @ 2600 V	150 ° C (Máximo)	690a	-
IDWD15G120C5XKSA1	10.8400	RFQ	240	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	IDWD15	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001687164	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)				1200 V		1.65 v @ 15 a	0 ns	124 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	49A	1050pf @ 1V, 1 MHz
IDWD30G120C5XKSA1	20.7500	RFQ	494	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	IDWD30	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)				1200 V		1.65 V @ 30 A	0 ns	248 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	87a	1980pf @ 1v, 1 MHz
BB565E7902	-	RFQ	5640	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-80			SCD-80	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000												2.2pf @ 28V, 1MHz	Soltero	30 V		11	C1/C28	-
BAW 79D E6327	0.1100	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	To-243AA	BAW 79	Estándar	PG-SOT89	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			1 par Cátodo Común	400 V	1A (DC)	1.6 v @ 1 a	1 µs	1 µA @ 400 V	150 ° C (Máximo)
BAT64-06B5003	0.0300	RFQ	57	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT64	Schottky	PG-SOT23-3-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			1 par Ánodo Común	40 V	120 Ma	750 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150 ° C
BAW56WE6327	-	RFQ	4805	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Baw56	Estándar	Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			1 par Ánodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
BAW56W-E6327	-	RFQ	3501	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Baw56	Estándar	PG-SOT323-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	12,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			1 par Ánodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C
BAW101E6327	0.1200	RFQ	18	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BAW101	Estándar	PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.623	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			2 Independientes	300 V	250 mA (DC)	1.3 V @ 100 Ma	1 µs	150 na @ 250 V	150 ° C (Máximo)
IDT08S60C	3.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	PG-TO20-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)				600 V		1.7 V @ 8 A	0 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	310pf @ 1V, 1 MHz
BAW56-B5003	1.0000	RFQ	5932	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo				Baw56			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000
Baw78c	0.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	To-243AA		Estándar	PG-SOT89-4-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				200 V		1.6 v @ 1 a	1 µs	1 µA @ 200 V	150 ° C	1A	10pf @ 0v, 1 MHz
BAL99E6327	0.0400	RFQ	249	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar	PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	8,959	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)				80 V		1.25 V @ 150 Ma	4 ns	1 µA @ 70 V	-65 ° C ~ 150 ° C	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
Bar61	-	RFQ	4496	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		Un 253-4, un 253AA			PG-SOT143-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1		140 Ma	250 MW									0.5pf @ 50V, 1MHz	PIN - Elemento Pi	100V	12ohm @ 10 Ma, 100MHz
BA895E6327	0.0400	RFQ	21	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		SC-80			SCD-80	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		50 Ma										0.6pf @ 10V, 1 MHz	PIN - Single	50V	7ohm @ 10mA, 100MHz
Bar63-04wh6327	-	RFQ	8284	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		SC-70, SOT-323			PG-SOT323-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000		100 mA	250 MW									0.3pf @ 5V, 1MHz	Pin - Conexión de la Serie de 1 par	50V	-
BA892-02V	-	RFQ	6892	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		SC-79, SOD-523			PG-SC79-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		100 mA										1.1pf @ 3V, 1MHz	Estándar - Single	35V	500mohm @ 10 Ma, 100MHz
Bar 64-06wh6327	0.0900	RFQ	3283	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		SC-70, SOT-323			PG-SOT323-3-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000		100 mA	250 MW									0.35pf @ 20V, 1MHz	Pin - 1 Par Ánodo Común	150V	1.35ohm @ 100 mm, 100MHz
Bal99	-	RFQ	3268	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar	SOT23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	8,959	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)				80 V		1.25 V @ 150 Ma	4 ns	1 µA @ 70 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
Bar 67-04 E6327	-	RFQ	8899	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)		TO36-3, SC-59, SOT-23-3			PG-SOT23	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		200 MA	250 MW									0.55pf @ 5V, 1MHz	Pin - Conexión de la Serie de 1 par	150V	1ohm @ 10mA, 100MHz
BAS125-04We6327	0.0900	RFQ	33	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAS125	Schottky	PG-SOT323-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			Conexión de la Serie de 1 par	25 V	100 mA (DC)	950 MV @ 35 Ma		150 na @ 25 V	150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1803)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²