SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Max Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Resistencia @ if, f Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
BB640 Infineon Technologies BB640 1.0000
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000
BAS16B5003 Infineon Technologies BAS16B5003 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies BAS16 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Estándar PG-SOT23-3-11 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
IDW40E65D1 Infineon Technologies IDW40E65D1 1.0000
RFQ
ECAD 2240 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar PG-TO247-3-1 descascar 0000.00.0000 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 40 A 129 ns 40 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 80A -
BBY51-03W Infineon Technologies BBY51-03W 1.0000
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2 descascar EAR99 8541.10.0070 1 3.7pf @ 4V, 1MHz Soltero 7 V 2.2 C1/C4 -
BAR63-03WE6327 Infineon Technologies Bar63-03we6327 0.0500
RFQ
ECAD 3192 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2 descascar EAR99 8541.10.0070 5,176 100 mA 250 MW 0.3pf @ 5V, 1MHz PIN - Single 50V -
IDW40G65C5B Infineon Technologies IDW40G65C5B -
RFQ
ECAD 1531 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3-41 descascar EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 20A (DC) 1.7 V @ 20 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
BB837E6327 Infineon Technologies BB837E6327 0.1200
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2 descascar EAR99 8541.10.0070 1 0.52pf @ 28V, 1MHz Soltero 30 V 12.7 C1/C28 -
BAS40E6433 Infineon Technologies BAS40E6433 0.0700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky Sot-23-3 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 100 ps 1 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 120 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
BAS70-07E6327 Infineon Technologies BAS70-07E6327 -
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BAS70 Schottky PG-SOT143-4 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C
IDW15E65D2 Infineon Technologies IDW15E65D2 1.2000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar PG-TO247-3-1 descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 2.3 V @ 15 A 47 ns 40 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
BAR64-03W Infineon Technologies Bar64-03W -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0070 1
BAT165 Infineon Technologies BAT165 -
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Schottky PG-SOD323-2 - 0000.00.0000 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 740 MV @ 750 Ma 150 ° C (Máximo) 750 MAPA 12pf @ 10V, 1 MHz
BB914 Infineon Technologies BB914 0.1100
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0070 1
IDW50E60 Infineon Technologies IDW50E60 -
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar PG-TO247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 50 A 115 ns 40 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 80A -
BAS70-07W Infineon Technologies BAS70-07W -
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BAS70 Schottky PG-SOT343-4-1 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C
BAT15-099R Infineon Technologies BAT15-099R 1.0000
RFQ
ECAD 9866 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Un 253-4, un 253AA PG-SOT143 descascar EAR99 8541.10.0070 1 110 Ma 100 MW 0.5pf @ 0V, 1MHz Schottky - 2 par Cátodo Común 4v -
IDW12G65C5 Infineon Technologies IDW12G65C5 -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3-41 descascar EAR99 8542.39.0001 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 12 A 0 ns 500 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 360pf @ 1v, 1 MHz
BAW101E6433 Infineon Technologies BAW101E6433 0.1100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BAW101 Estándar SOT143 (SC-61) descascar EAR99 8541.10.0070 2.623 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 300 V 250 mA (DC) 1.3 V @ 100 Ma 1 µs 150 na @ 250 V 150 ° C
DD750S65K3NOSA2 Infineon Technologies DD750S65K3NOSA2 -
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - EAR99 8541.10.0080 1
BAS70-05E6433 Infineon Technologies BAS70-05E6433 0.0800
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky PG-SOT23 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C
BAR63-05E6327 Infineon Technologies Bar63-05E6327 -
RFQ
ECAD 1808 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SOT23 descascar EAR99 8541.10.0070 1 100 mA 250 MW 0.3pf @ 5V, 1MHz Pin - 1 par Cátodo Común 50V -
BBY57-02V Infineon Technologies BBY57-02V -
RFQ
ECAD 2696 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 PG-SC79-2 descascar EAR99 8541.10.0070 1 5.5pf @ 4V, 1 MHz Soltero 10 V 4.5 C1/C4 -
BAR64-03WE6327 Infineon Technologies Bar64-03we6327 1.0000
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2-1 descascar EAR99 8541.10.0070 1 100 mA 250 MW 0.35pf @ 20V, 1MHz PIN - Single 150V 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz
IDFW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies IDFW80C65D1XKSA1 7.3700
RFQ
ECAD 74 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q100/101, Coolsic ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDFW80 Estándar PG-TO247-3-AI descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 40 A 73 ns 40 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 74A -
CWM60FN Infineon Technologies CWM60FN 1.0000
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
BAS70-06E6327 Infineon Technologies BAS70-06E6327 -
RFQ
ECAD 8731 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky PG-SOT23 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 132.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar Ag-Easy1b-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 24 1.85 V @ 60 A 174 µA @ 1200 V 60 A Fase única 1.2 kV
38DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 38DN06B02ELEMXPSA1 232.6400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis DO-200AC, K-PUK 38DN06 Estándar BG-D-ELEM-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 960 MV @ 4500 A 50 mA @ 600 V 180 ° C (Max) 5140A -
46DN06B02ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies 46DN06B02ElAMPRXPSA1 287.0875
RFQ
ECAD 2442 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Apretar DO-200AA, A-PUK 46DN06 Estándar BG-D-ELEM-1 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 980 MV @ 6000 A 40 Ma @ 600 V 180 ° C (Max) 7740a -
65DN06B02ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies 65DN06B02ElEmPPRXPSA1 616.8400
RFQ
ECAD 1809 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK 65DN06 Estándar BG-D-ELEM-1 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 890 MV @ 8000 A 100 mA @ 600 V 180 ° C (Max) 15130A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock