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Diodos (184)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S06508DT | 5.3200 |  | 7962 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263 | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 32a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
 | G5S6504Z | 3.1900 | | 1707 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 8-DFN (4.9x5.75) | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.6 v @ 4 a | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15.45a | 181pf @ 0v, 1 MHz | |||
| G3S12002D | 3.8200 | | 2563 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263 | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 v @ 2 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7A | 136pf @ 0V, 1 MHz | |||
| G5S6506Z | 5.5400 | | 8309 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 8-DFN (4.9x5.75) | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 395pf @ 0V, 1MHz | |||
 | G4S06510at | 4.8600 | | 7642 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.5a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
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| G3S12020P | 25.0100 | | 4068 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 64.5a | 2600pf @ 0V, 1 MHz | |||
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 | G4S06515HT | 8.3300 | | 1776 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 23.8a | 645pf @ 0V, 1MHz | |||
| G3S06508D | 4.8000 | | 9492 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263 | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25.5a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
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| G5S06508CT | 5.3200 | | 5536 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31A | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
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| G5S12020H | 26.0000 | | 3136 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.6a | 1320pf @ 0V, 1MHz | |||
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| G3S065100P | 59.4300 | | 6372 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 13500pf @ 0V, 1MHz | |||
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| G4S06506CT | 3.9000 | | 2101 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 13.8a | 181pf @ 0v, 1 MHz |
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