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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR5001 | 2.9300 |  | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5001 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 50 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| 1N5923BBULK | 0.1600 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5923BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 5 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
 | BZX55C18T/R | 0.0300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BZX55C18T/RTR | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 13 V | 18 V | 50 ohmios | |||||||||||
| BR3501 | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3501 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 100 V | 35 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| BR604 | 0.7500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br604 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| BR3506 | 3.1300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| Fr101bulk | 0.2100 | | 39 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR101BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BR2510 | 2.8100 | | 250 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| MR754T/R | 0.2900 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | D-6, axial | Estándar | D6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR754T/RTR | 8541.10.0000 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 900 MV @ 6 A | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
| BR1504 | 2.5400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| 1N752AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N752AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||
| BR606 | 0.7600 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br606 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
 | HES301T/R | 0.1500 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER301T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| FR102T/R | 0.0300 | | 25 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR102T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| FR304T/R | 0.1300 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR304T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BR1502M | 2.3500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1502m | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1n4730abulk | 0.1500 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4730abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | |||||||||||
| KBP208 | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp208 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| BR1010 | 1.1700 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Br1010 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| 1N4752Abulk | 0.1800 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4752Abulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||||
| 1N4935BULK | 0.1800 | | 51 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4935BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5236BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5236BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||
| 1N5234BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5234BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||
| 1N5349BBULK | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5349BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
| 1N4732AT/R | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4732AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N5251BT/R | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5251BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||
| 1n5392bulk | 0.1800 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5392BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4736BULK | 0.2000 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4736BULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||
| 1N5403BULK | 0.1800 | | 13 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5403BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4733BULK | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4733BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios |
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